INFLUENCE OF A DISLOCATION FILTER BASED ON LT-GAAS ON THE PERFECTION OF GaAs/Si LAYERS

Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев

Research output: Contribution to journalArticleResearchpeer-review

Abstract

The influence of dislocation filters developed on the basis of low-temperature layers (LT) of GaAs and post-growth annealing on the perfection of GaAs/Si heterostructures is discussed. It is shown that LT-GaAs layers reduce the density of germinating dislocations and reduce the surface roughness. Post-hrowth annealing at a temperature of 650 ºC reduces the concentration of centers of nonradiative recombination in GaAs/Si layers to a level close to the level in GaAs layers grown on a matched substrate.
Translated title of the contributionINFLUENCE OF A DISLOCATION FILTER BASED ON LT-GAAS ON THE PERFECTION OF GaAs/Si LAYERS
Original languageRussian
Pages (from-to)85-92
JournalАвтометрия
Volume54
Issue number2
Publication statusPublished - 2018

Fingerprint

Annealing
Temperature
Heterojunctions
Surface roughness
Substrates

GRNTI

  • 29.19.00

Level of Research Output

  • VAK List

Cite this

Абрамкин, Д. С., Петрушков, М. О., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Семягин, Б. Р., Васев, А. В., ... Шамирзаев, Т. С. (2018). ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. Автометрия, 54(2), 85-92.
Абрамкин, Д. С. ; Петрушков, М. О. ; Емельянов, Е. А. ; Путято, М. А. ; Семягин, Б. Р. ; Васев, А. В. ; Есин, М. Ю. ; Лошкарев, И. Д. ; Гутаковский, А. К. ; Преображенский, В. В. ; Шамирзаев, Т. С. / ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. In: Автометрия. 2018 ; Vol. 54, No. 2. pp. 85-92.
@article{1393781bce2e4dac89485779dcb9810c,
title = "ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI",
abstract = "Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.",
author = "Абрамкин, {Д. С.} and Петрушков, {М. О.} and Емельянов, {Е. А.} and Путято, {М. А.} and Семягин, {Б. Р.} and Васев, {А. В.} and Есин, {М. Ю.} and Лошкарев, {И. Д.} and Гутаковский, {А. К.} and Преображенский, {В. В.} and Шамирзаев, {Т. С.}",
year = "2018",
language = "Русский",
volume = "54",
pages = "85--92",
journal = "Автометрия",
issn = "0320-7102",
publisher = "Издательство Сибирского отделения Российской академии наук",
number = "2",

}

Абрамкин, ДС, Петрушков, МО, Емельянов, ЕА, Путято, МА, Семягин, БР, Васев, АВ, Есин, МЮ, Лошкарев, ИД, Гутаковский, АК, Преображенский, ВВ & Шамирзаев, ТС 2018, 'ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI' Автометрия, vol. 54, no. 2, pp. 85-92.

ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. / Абрамкин, Д. С.; Петрушков, М. О.; Емельянов, Е. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Васев, А. В.; Есин, М. Ю.; Лошкарев, И. Д.; Гутаковский, А. К.; Преображенский, В. В.; Шамирзаев, Т. С.

In: Автометрия, Vol. 54, No. 2, 2018, p. 85-92.

Research output: Contribution to journalArticleResearchpeer-review

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI

AU - Абрамкин, Д. С.

AU - Петрушков, М. О.

AU - Емельянов, Е. А.

AU - Путято, М. А.

AU - Семягин, Б. Р.

AU - Васев, А. В.

AU - Есин, М. Ю.

AU - Лошкарев, И. Д.

AU - Гутаковский, А. К.

AU - Преображенский, В. В.

AU - Шамирзаев, Т. С.

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

AB - Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32794882

M3 - Статья

VL - 54

SP - 85

EP - 92

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 2

ER -

Абрамкин ДС, Петрушков МО, Емельянов ЕА, Путято МА, Семягин БР, Васев АВ et al. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. Автометрия. 2018;54(2):85-92.