Abstract

Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.
Original languageRussian
Pages (from-to)118-125
Number of pages8
JournalЖурнал технической физики
Volume85
Issue number1
Publication statusPublished - 2015

GRNTI

  • 29.19.00

Level of Research Output

  • VAK List

Cite this

@article{3a50487d3eb945b9b768a1854e88cb54,
title = "МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50",
abstract = "Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.",
author = "Васьковский, {Владимир Олегович} and Лепаловский, {Владимир Николаевич} and Горьковенко, {Александр Николаевич} and Кулеш, {Никита Александрович} and Савин, {Петр Алексеевич} and Свалов, {Андрей Владимирович} and Степанова, {Е. А.} and Щеголева, {Нина Никифоровна} and Ювченко, {Александр Алексеевич}",
year = "2015",
language = "Русский",
volume = "85",
pages = "118--125",
journal = "Журнал технической физики",
issn = "0044-4642",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "1",

}

TY - JOUR

T1 - МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ FE20NI80/FE50MN50

AU - Васьковский, Владимир Олегович

AU - Лепаловский, Владимир Николаевич

AU - Горьковенко, Александр Николаевич

AU - Кулеш, Никита Александрович

AU - Савин, Петр Алексеевич

AU - Свалов, Андрей Владимирович

AU - Степанова, Е. А.

AU - Щеголева, Нина Никифоровна

AU - Ювченко, Александр Алексеевич

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.

AB - Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=24195973

M3 - Статья

VL - 85

SP - 118

EP - 125

JO - Журнал технической физики

JF - Журнал технической физики

SN - 0044-4642

IS - 1

ER -