Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

Research output: Contribution to journalArticleResearchpeer-review

Abstract

Type-I indirect-gap heterostructures are convenient objects for studying the spin dynamics of localized excitons, which are difficult to investigate in heterostructures of other types. It is shown that structures with such an energy spectrum can be formed from III–V binary compounds on substrates with the (110) orientation. The effect of the strain distribution and conduction-band structure in quasimomentum space on the energy spectrum of electronic states in the heterostructures is discussed.
Translated title of the contributionType-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates
Original languageRussian
Pages (from-to)710-717
JournalФизика и техника полупроводников
Volume53
Issue number5
DOIs
Publication statusPublished - 2019

Fingerprint

Heterojunctions
energy spectra
Semiconductor materials
strain distribution
Substrates
spin dynamics
Spin dynamics
conduction bands
excitons
Electronic states
Conduction bands
Excitons
Band structure
electronics

GRNTI

  • 29.00.00 PHYSICS

Level of Research Output

  • VAK List

Cite this

@article{3aa6af5e2c484d72b5552596ec3a2003,
title = "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)",
abstract = "Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.",
author = "Д.С. Абрамкин and Шамирзаев, {Тимур Сезгирович}",
year = "2019",
doi = "10.21883/FTP.2019.05.47569.9018",
language = "Русский",
volume = "53",
pages = "710--717",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "5",

}

TY - JOUR

T1 - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)

AU - Абрамкин, Д.С.

AU - Шамирзаев, Тимур Сезгирович

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.

AB - Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37644663

U2 - 10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

DO - 10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

M3 - Статья

VL - 53

SP - 710

EP - 717

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -