ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Юрий Г. Арапов, С.В. Гудина, А. С. Клепикова, Владимир Н. Неверов, Сергей Михайлович Подгорных, Михаил Викторович Якунин, Б. Н. Звонков

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B||=9.0 Тл) в интервале температур T=1.8-70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rhoxx(B||,T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tauq-1(T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tauq-1(T) при T>0.1 TF известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.
Original languageRussian
Pages (from-to)1457-1461
Number of pages5
JournalФизика и техника полупроводников
Volume47
Issue number11
Publication statusPublished - 2013

GRNTI

  • 29.00.00 PHYSICS

Level of Research Output

  • VAK List

Cite this