Резистивный материал: патент на изобретение

Нина Владимировна Мельникова; Ольга Леонидовна Хейфец; Алексей Николаевич Бабушкин; Алексей Леонидович Филиппов; Кирилл Викторович Курочка

Резистивный материал: патент на изобретение

Нина Владимировна Мельникова (Inventor), Ольга Леонидовна Хейфец (Inventor), Алексей Николаевич Бабушкин (Inventor), Алексей Леонидович Филиппов (Inventor), Кирилл Викторович Курочка (Inventor)

Resultado de la investigación: Patent

Resumen

FIELD: radio engineering, communication.
SUBSTANCE: material further includes copper selenide of the empirical formula: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, where 0.6≤x≤0.95. The material provides an operating temperature range of 10-150°C, resistivity relaxation time of 15-650 s and high resistivity of up to 105-107 ohm·m.
EFFECT: improved properties of the material.

Título traducido de la contribución	RESISTIVE MATERIAL: patent of invention
Idioma original	Russian
Número de patente	2533551
CIP	H01C 7/00,C01B 19/00
Fecha de introducción	23/07/2013
Estado	Published - 20 nov. 2014

GRNTI

29.19.00

Acceder al documento

Otros archivos y enlaces

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37455467

Citar esto

Мельникова, Н. В., Хейфец, О. Л., Бабушкин, А. Н., Филиппов, А. Л., & Курочка, К. В. (2014). Резистивный материал: патент на изобретение. (N.º de patente 2533551). Федеральный институт промышленной собственности. https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2533551&TypeFile=html

Мельникова, Нина Владимировна (Inventor) ; Хейфец, Ольга Леонидовна (Inventor) ; Бабушкин, Алексей Николаевич (Inventor) et al. / Резистивный материал : патент на изобретение. Федеральный институт промышленной собственности. N.º de patente: 2533551. nov. 20, 2014.

@misc{9b87d817ab7c4f69a9ec84bdd88a55e4,

title = "Резистивный материал: патент на изобретение",

abstract = "Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.",

author = "Мельникова, {Нина Владимировна} and Хейфец, {Ольга Леонидовна} and Бабушкин, {Алексей Николаевич} and Филиппов, {Алексей Леонидович} and Курочка, {Кирилл Викторович}",

year = "2014",

month = nov,

day = "20",

language = "Русский",

publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",

address = "Российская Федерация",

type = "Patent",

note = "2533551; H01C 7/00,C01B 19/00",

}

Резистивный материал : патент на изобретение. / Мельникова, Нина Владимировна (Inventor); Хейфец, Ольга Леонидовна (Inventor); Бабушкин, Алексей Николаевич (Inventor) et al.

Федеральный институт промышленной собственности. N.º de patente: 2533551. nov. 20, 2014.

Resultado de la investigación: Patent

TY - PAT

T1 - Резистивный материал

T2 - патент на изобретение

AU - Мельникова, Нина Владимировна

AU - Хейфец, Ольга Леонидовна

AU - Бабушкин, Алексей Николаевич

AU - Филиппов, Алексей Леонидович

AU - Курочка, Кирилл Викторович

PY - 2014/11/20

Y1 - 2014/11/20

N2 - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.

AB - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37455467

M3 - Патент

M1 - 2533551

Y2 - 2013/07/23

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -

Резистивный материал: патент на изобретение

Resumen

GRNTI

Acceder al documento

Otros archivos y enlaces

Huella

Citar esto