ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ

Л. А. Сайпулаева; Ф. С. Габибов; Н. В. Мельникова; А. Г. Алибеков; О. Л. Хейфец; А. Н. Бабушкин; К. В. Курочка

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ

Л. А. Сайпулаева, Ф. С. Габибов, Н. В. Мельникова, А. Г. Алибеков, О. Л. Хейфец, А. Н. Бабушкин, К. В. Курочка

Resultado de la investigación: Article › revisión exhaustiva

Resumen

Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.

Idioma original	Russian
Páginas (desde-hasta)	1044-1051
Publicación	Журнал экспериментальной и теоретической физики
Volumen	142
N.º	5
Estado	Published - 2012

GRNTI

29.00.00 PHYSICS

Level of Research Output

VAK List

Otros archivos y enlaces

https://elibrary.ru/item.asp?id=18246970

Citar esto

Сайпулаева, Л. А., Габибов, Ф. С., Мельникова, Н. В., Алибеков, А. Г., Хейфец, О. Л., Бабушкин, А. Н., & Курочка, К. В. (2012). ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ. Журнал экспериментальной и теоретической физики, 142(5), 1044-1051.

Сайпулаева, Л. А. ; Габибов, Ф. С. ; Мельникова, Н. В. et al. / ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ. En: Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012 ; Vol. 142, N.º 5. pp. 1044-1051.

@article{21a9161ce51348dfa8249320b6609a32,

title = "ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ",

abstract = "Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.",

author = "Сайпулаева, {Л. А.} and Габибов, {Ф. С.} and Мельникова, {Н. В.} and Алибеков, {А. Г.} and Хейфец, {О. Л.} and Бабушкин, {А. Н.} and Курочка, {К. В.}",

year = "2012",

language = "Русский",

volume = "142",

pages = "1044--1051",

journal = "Журнал экспериментальной и теоретической физики",

issn = "0044-4510",

publisher = "Институт физических проблем им. П. Л. Капицы",

number = "5",

}

Сайпулаева, ЛА, Габибов, ФС, Мельникова, НВ, Алибеков, АГ, Хейфец, ОЛ , Бабушкин, АН & Курочка, КВ 2012, 'ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ', Журнал экспериментальной и теоретической физики, vol. 142, n.º 5, pp. 1044-1051.

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ. / Сайпулаева, Л. А.; Габибов, Ф. С.; Мельникова, Н. В. et al.

En: Журнал экспериментальной и теоретической физики, Vol. 142, N.º 5, 2012, p. 1044-1051.

Resultado de la investigación: Article › revisión exhaustiva

TY - JOUR

T1 - ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ

AU - Сайпулаева, Л. А.

AU - Габибов, Ф. С.

AU - Мельникова, Н. В.

AU - Алибеков, А. Г.

AU - Хейфец, О. Л.

AU - Бабушкин, А. Н.

AU - Курочка, К. В.

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.

AB - Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=18246970

M3 - Статья

VL - 142

SP - 1044

EP - 1051

JO - Журнал экспериментальной и теоретической физики

JF - Журнал экспериментальной и теоретической физики

SN - 0044-4510

IS - 5

ER -

Сайпулаева ЛА, Габибов ФС, Мельникова НВ, Алибеков АГ, Хейфец ОЛ , Бабушкин АН et al. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012;142(5):1044-1051.