Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

S. V. Gudina, Yu G. Arapov, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil’evskii

Resultado de la investigación: Article

1 Cita (Scopus)
Idioma originalEnglish
Páginas (desde-hasta)1551-1558
Número de páginas8
PublicaciónSemiconductors
Volumen52
N.º12
DOI
EstadoPublished - 1 dic 2018

ASJC Scopus subject areas

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Condensed Matter Physics

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  • Physics, Condensed Matter

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  • 29.00.00 PHYSICS

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Huella Profundice en los temas de investigación de 'Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures'. En conjunto forman una huella única.

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