Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties

A. R. Serazetdinov, E. V. Atkin, K. O. Khokhlov

Resultado de la investigación: Conference contribution

Huella Profundice en los temas de investigación de 'Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties'. En conjunto forman una huella única.

Физика и астрономия