Temperature dependence of photoluminescence of semiconductor quantum dots upon indirect excitation in a SiO2 dielectric matrix

Resultado de la investigación: Articlerevisión exhaustiva

1 Cita (Scopus)
Idioma originalEnglish
Páginas (desde-hasta)1601-1606
Número de páginas6
PublicaciónPhysics of the Solid State
Volumen57
N.º8
DOI
EstadoPublished - ago 2015

ASJC Scopus subject areas

  • Condensed Matter Physics
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials

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  • 29.00.00 PHYSICS

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