Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures

P. V. Seredin, H. Leiste, A. S. Lenshin, A. M. Mizerov

Resultado de pesquisa: Article

1 Citação (Scopus)
Idioma originalEnglish
Número do artigo145267
Número de páginas14
RevistaApplied Surface Science
Volume508
DOIs
Estado da publicaçãoPublished - 1 abr 2020

ASJC Scopus subject areas

  • Condensed Matter Physics
  • Physics and Astronomy(all)
  • Surfaces, Coatings and Films
  • Chemistry(all)
  • Surfaces and Interfaces

WoS ResearchAreas Categories

  • Chemistry, Physical
  • Materials Science, Coatings & Films
  • Physics, Applied
  • Physics, Condensed Matter

Impressão digital Mergulhe nos tópicos de investigação de “Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures“. Em conjunto formam uma impressão digital única.

Citar isto