Отдел оптоэлектроники и полупроводниковой техники

Результат исследований 1974 2019

Фильтр
Статья
1993
2 Цитирования (Scopus)

Energy spectrum of a gapless semiconductor in a longitudinal magnetic field under spatial confinement

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., 1 дек 1993, В : Semiconductor Science and Technology. 8, 3, стр. 388-393 6 стр., 014.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Plasma confinement
energy spectra
Semiconductor materials
Magnetic fields
magnetic fields
6 Цитирования (Scopus)

Investigation of domain structure in lead germanate by cleavage method

Shur, V. Y., Subbotin, A. L. & Kuminov, V. P., 1 янв 1993, В : Ferroelectrics. 140, 1, стр. 101-106 6 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Anisotropic media
cleavage
Crack propagation
Lead
anisotropic media
3 Цитирования (Scopus)

Spin-dependent tunnelling in metal-insulator-gapless semiconductor structures in a magnetic field

Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., мар 1993, В : Semiconductor Science and Technology. 8, 3, стр. 383-387 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1992

Acceptor states in the dilute magnetic semiconductor p-HgMnTe with Eg > 0 under uniaxial stress

Germanenko, A. V., Min'kov, G. M. & Rut, O. E., 2 фев 1992, В : Journal of Crystal Growth. 117, 1-4, стр. 850-853 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Magnetic semiconductors
Ionization potential
Magnetic fields
magnetic fields
ionization
24 Цитирования (Scopus)

Change of domain structure of lead germanate in strong electric field

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Tonkachyova, N. A. & Ponomarev, N. Y., 1 фев 1992, В : Ferroelectrics. 126, 1, стр. 371-376 6 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Lead
Electric fields
electric fields
Ferroelectric materials
pulses
7 Цитирования (Scopus)

Dynamics of incoherent domain walls in gadolinium molybdate

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Kuminov, V. P. & Tonkachyova, N. A., 1 дек 1992, В : Ferroelectrics. 130, 4, стр. 341-346 6 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

molybdates
Gadolinium
Domain walls
gadolinium
domain wall
19 Цитирования (Scopus)

Fast reversal process in real ferroelectrics

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Rumyantsev, E. L., Tonkachyova, N. A. & Ponomarev, N. Y., 1 янв 1992, В : Integrated Ferroelectrics. 2, 1-4, стр. 51-61 11 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Ferroelectric materials
inhomogeneity
Data storage equipment
Electrodes
electrodes

The Conductivity Anisotropy in Uniaxially Stressed p‐InSb

Germanenko, A. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1 янв 1992, В : physica status solidi (b). 171, 1, стр. 159-165 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Anisotropy
conductivity
anisotropy
Semiconductor materials
Valence bands
1991

DOMAIN-STRUCTURE KINETICS IN ULTRAFAST POLARIZATION SWITCHING IN LEAD GERMANATE

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Ponomarev, N. Y., Rumyantsev, E. L. & Tonkacheva, N. A., 25 июн 1991, В : JETP Letters. 53, 12, стр. 615-619 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1990

DYNAMICS OF DOMAIN-STRUCTURE IN UNIAXIAL FERROELECTRICS

Shur, V. Y., Gruverman, A. L. & Rumyantsev, E. L., 1990, В : Ferroelectrics. 111, стр. 123-131 9 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

DYNAMICS OF PLANE DOMAIN-WALLS IN LEAD GERMANATE AND GADOLINIUM MOLYBDATE

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Kuminov, V. P. & Tonkachyova, N. A., 1990, В : Ferroelectrics. 111, стр. 197-206 10 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1 цитирование (Scopus)

The hopping conductivity anisotropy in single valley n-Ge:Sb

Germanenko, A. V., Min'kov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., 1 янв 1990, В : Solid State Communications. 76, 9, стр. 1149-1151 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Wave functions
valleys
Anisotropy
conductivity
anisotropy
4 Цитирования (Scopus)

The influence of uniaxial stress on the hopping conductivity in p-InSb. The anisotropy of the hopping conductivity

Germanenko, A. V. & Min'kov, G. M., 1 янв 1990, В : Solid State Communications. 74, 7, стр. 649-653 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Anisotropy
conductivity
anisotropy
Wave functions
wave functions
1989
36 Цитирования (Scopus)

Domain Structure Of Lead Germanate

Shur, V. Y., Gruverman, A. L., Letuchev, V. V., Rumyantsev, E. L. & Subbotin, A. L., 1 янв 1989, В : Ferroelectrics. 98, 1, стр. 29-49 21 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Lead
Domain walls
Electric fields
domain wall
electric fields

FLAT DOMAIN MOTION IN GADOLINIUM MOLYBDATE IN ELECTRIC-FIELD

Shur, V. Y., Kuminov, V. P., Gruverman, A. L. & Kopylova, E. V., 1989, В : Известия Российской академии наук. Серия физическая. 53, 7, стр. 1403-1406 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

INFLUENCE OF UNIAXIAL DEFORMATION ON THE ENERGY-SPECTRUM AND GALAVANOMAGNETIC EFFECTS IN ZERO-GAP P-TYPE HGMNTE

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L., Rut, O. E., Gavaleshko, N. P. & Frasunyak, V. M., янв 1989, В : Semiconductors. 23, 1, стр. 71-75 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TRANSPORT EFFECTS IN UNIAXIALLY DEFORMED P-TYPE HG1-XCDXTE WITH EG GREATER-THAN 0

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., мая 1989, В : Semiconductors. 23, 5, стр. 500-505 6 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

UNIAXIALLY DEFORMED P-TYPE HGMNTE WITH EPSILON-G GREATER-THAN O - GALVANOMAGNETIC EFFECTS, ENERGY-SPECTRUM

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., дек 1989, В : Semiconductors. 23, 12, стр. 1355-1359 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1988

CHARACTERISTICS OF THE SPECTRUM OF UNIAXIALLY DEFORMED SEMICONDUCTORS WITH DEGENERATE BANDS IN A MAGNETIC-FIELD PERPENDICULAR TO THE PRESSURE

Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., авг 1988, В : Semiconductors. 22, 8, стр. 851-854 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

ENERGY-SPECTRUM AND GALVANOMAGNETIC PHENOMENA IN THE GAPLESS SEMICONDUCTOR P-HGCDTE SUBJECTED TO UNIAXIAL COMPRESSION

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., авг 1988, В : Журнал экспериментальной и теоретической физики. 94, 8, стр. 242-254 13 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

INVESTIGATION OF THE BAND PARAMETERS OF ALXGA1-XAS SOLID-SOLUTIONS USING ABSORPTION-SPECTRA IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELDS

Emlin, R. V., Zverev, L. P. & Rut, O. E., фев 1988, В : Semiconductors. 22, 2, стр. 163-165 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

MAGNETIC FREEZEOUT OF HOLES IN UNIAXIALLY DEFORMED P-TYPE INSB

Germanenko, A. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., июл 1988, В : Semiconductors. 22, 7, стр. 734-737 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

PROBLEM OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN LIGHTLY DOPED P-TYPE ZERO-GAP SEMICONDUCTOR HG1-XCDXTE

Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., июн 1988, В : Soviet physics. Semiconductors. 22, 6, стр. 626-629 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1987

ACCEPTOR ENERGY AND CHARACTERISTICS OF THE MOTT TRANSITION IN P-TYPE INSB SUBJECTED TO UNIAXIAL DEFORMATION

Germanenko, A. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., ноя 1987, В : Semiconductors. 21, 11, стр. 1216-1220 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

CLASSICAL LOW-TEMPERATURE BEHAVIOR OF TRANSPORT-COEFFICIENTS OF PARA-TYPE HG0.8CD0.2TE

Elizarov, A. I., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Nikitin, M. S. & Rut, O. E., мар 1987, В : Soviet physics. Semiconductors. 21, 3, стр. 292-294 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

EXPERIMENTAL-OBSERVATION OF DZYALOSHINSKY-MORIYA ELECTRON-NUCLEAR INTERACTION BY THE ELECTRON-NUCLEAR DOUBLE-RESONANCE TECHNIQUE

Rokeakh, A. I., Moskvin, A. S., Legkikh, N. V. & Sherstkov, Y. A., ноя 1987, В : Журнал экспериментальной и теоретической физики. 93, 5, стр. 1789-1799 11 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1986

CHARACTERISTICS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS AND FREEZEOUT AT ACCEPTORS IN ZERO-GAP P-TYPE Hg//1// minus //xMn//xTe SUBJECTED TO A MAGNETIC FIELD AT LOW TEMPERATURES

Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Min'kov, G. M. & Rut, O. E., 1 янв 1986, В : Soviet physics. Semiconductors. 20, 1, стр. 46-52 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

galvanomagnetic effects
Galvanomagnetic effects
Hall effect
Impurities
Magnetic fields

CHARACTERISTICS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS AND FREEZEOUT AT ACCEPTORS IN ZERO-GAP P-TYPE HG1-XMNXTE SUBJECTED TO A MAGNETIC-FIELD AT LOW-TEMPERATURES

Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., янв 1986, В : Soviet physics. Semiconductors. 20, 1, стр. 46-52 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

INFLUENCE OF THE EXCHANGE INTERACTION ON GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN HEAVILY DOPED P-TYPE HG1-XMNX TE WITH EPSILON-G GREATER-THAN 0

Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., сен 1986, В : Soviet physics. Semiconductors. 20, 9, стр. 1041-1044 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1985

A CHANGE IN THE DOMAIN-STRUCTURE ON POLARIZATION REVERSAL IN LEAD GERMANATE

Shur, V. Y., Letuchev, V. V., Popov, Y. A. & Sarapulov, V. I., 1985, В : Кристаллография. 30, 5, стр. 945-949

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

COUPLED MAGNETIC POLARON IN GAPLESS P-HG1-XMNXTE

Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1985, В : Физика твердого тела. 27, 6, стр. 1857-1863 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

FORMATION OF THE DOMAIN-STRUCTURE IN LEAD GERMANATE DURING THE ERODED PHASE-TRANSFER

Shur, V. Y., Popov, Y. A., Rumyantsev, E. L., Subbotin, A. L. & Vshivkova, V. V., 1985, В : Известия Российской академии наук. Серия физическая. 49, 9, стр. 1860-1862

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1984

ACCEPTOR LEVEL ENERGY IN P-HG1-XMNXTE IN A MAGNETIC-FIELD

Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rut, O. E., Gavaleshko, N. P. & Frasunyak, V. M., 1984, В : Физика твердого тела. 26, 6, стр. 1754-1757 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

25 Цитирования (Scopus)

BOUND INTERNAL FIELD IN LEAD GERMANATE.

Shur, V. Y., Popov, Y. A. & Korovina, N. V., 1 янв 1984, В : Soviet Physics, Solid State (English translation of Fizika Tverdogo Tela). 26, 3, стр. 471-474 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Screening
Lead
Depolarization
Electric space charge
Short circuit currents

CHARACTERISTICS OF THE BASE DOMAIN-STRUCTURE IN LEAD GERMANATE

Shur, V. Y., Popov, Y. A., Subbotin, A. L. & Korovina, N. V., 1984, В : Известия Российской академии наук. Серия физическая. 48, 6, стр. 1061-1064

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

COUPLED INTERNAL FIELD IN LEAD GERMANATE

Shur, V. Y., Popov, Y. A. & Korovina, N. V., 1984, В : Физика твердого тела. 26, 3, стр. 781-786

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

ENERGY-SPECTRUM OF THE SEMIMAGNETIC GAP-FREE SEMICONDUCTOR HG1-XMNXTE IN A MAGNETIC-FIELD

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rut, O. E., Gavaleshko, N. P. & Frasunyak, V. M., 1984, В : Журнал экспериментальной и теоретической физики. 86, 3, стр. 1073-1083 11 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

EXCHANGE INTERACTION EFFECT ON HG1-XMNXTE ENERGY-SPECTRUM WITH EPSILON-G GREATER-THAN-0 IN THE MAGNETIC-FIELD

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rut, O. E., Gavaleshko, N. P. & Frasunyak, V. M., 1984, В : Физика твердого тела. 26, 10, стр. 2943-2950 8 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

5 Цитирования (Scopus)

INFLUENCE OF THE EXCHANGE INTERACTION ON THE ENERGY SPECTRUM OF Hg//1// minus //xMn//xTe WITH epsilon //g greater than 0 IN A MAGNETIC FIELD.

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Min'kov, G. M., Rut, O. E., Gavaleshko, N. P. & Frasunyak, V. M., 1 окт 1984, В : Soviet Physics, Solid State (English translation of Fizika Tverdogo Tela). 26, 10, стр. 1778-1782 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Exchange interactions
Conduction bands
Electrons
Magnetic fields
Tunnels
1983
7 Цитирования (Scopus)

TWO-DIMENSIONAL SURFACE ELECTRONS IN SEMICONDUCTING p-TYPE Hg1 - xCdxTe WITH AN ANODIC OXIDE.

Elizarov, A. I., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Min'kov, G. M. & Rut, O. E., 1 янв 1983, В : Soviet physics. Semiconductors. 17, 3, стр. 284-286 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Inversion layers
Anodic oxidation
Electrons
galvanomagnetic effects
inversions
1982

TUNNELLING CONDUCTIVITY OSCILLATIONS OF P-HG1-XCDXTE-AL2O3-PB STRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD

Minkov, G. M., Rut, O. E., Lukanin, A. I. & Kruzhaev, V. V., 1982, В : Физика твердого тела. 24, 2, стр. 356-364 9 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1981

DETERMINATION OF THE ENERGY-SPECTRUM PARAMETERS OF SEMIMETALLIC HG1-XCDXTE BY TUNNEL SPECTROSCOPY IN A MAGNETIC-FIELD

Zveryev, L. P., Kruzhayev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1981, В : Журнал экспериментальной и теоретической физики. 80, 3, стр. 1163-1173 11 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TUNNELLING SPECTROSCOPY OF N-HGSE

Rut, O. E., Kruzhaev, V. V. & Minkov, G. M., 1981, В : Физика твердого тела. 23, 11, стр. 3212-3217 6 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TWO-DIMENSIONAL SURFACE ELECTRONS IN HGSE

Minkov, G. M., Rut, O. E. & Kruzhaev, V. V., 1981, В : Физика твердого тела. 23, 9, стр. 2574-2576 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1980

OSCILLATIONS OF THE TUNNELING CONDUCTIVITY OF A N-TYPE InAs-OXIDE-Pb JUNCTION IN A QUANTIZING MAGNETIC FIELD.

Min'kov, G. M. & Kruzhaev, V. V., 1 янв 1980, В : Soviet Physics, Solid State (English translation of Fizika Tverdogo Tela). 22, 6, стр. 959-963 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Exchange interactions
Bias voltage
Doping (additives)
Scattering
Magnetic fields

POSSIBLE USE OF TUNNEL SPECTROSCOPY FOR DETERMINING THE ENERGY-DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE MASS IN SEMICONDUCTORS

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1980, В : JETP Letters. 31, 3, стр. 154-157 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TUNNELING CONDUCTIVITY OSCILLATIONS OF N-INAS-OXIDE-PB JUNCTION IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELD

Minkov, G. M. & Kruzhaev, V. V., 1980, В : Физика твердого тела. 22, 6, стр. 1641-1648 8 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1979

APPLICATION OF TUNNEL SPECTROSCOPY IN A MAGNETIC-FIELD TO THE INVESTIGATION OF THE DISPERSION LAW OF A HEAVILY-DOPED N-INAS

Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Kruzhaev, VV., 1979, В : JETP Letters. 29, 7, стр. 365-369 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1978

INTERBAND ABSORPTION OF LIGHT IN INDIUM-PHOSPHIDE IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELDS

Emlin, R. V., Zverev, L. P., Rut, O. E. & Korovina, N. V., 1978, В : Semiconductors. 12, 11, стр. 1243-1245 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1977
14 Цитирования (Scopus)

MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

Zverev, L. P., Negashev, S. A., Kruzhaev, V. V. & Min'kov, G. M., 1 янв 1977, В : Semiconductors. 11, 6, стр. 603-605 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Gallium arsenide
gallium
Energy gap
Doping (additives)
Exchange interactions