Отдел оптоэлектроники и полупроводниковой техники

Результат исследований 1974 2019

Фильтр
Статья
1980

OSCILLATIONS OF THE TUNNELING CONDUCTIVITY OF A N-TYPE InAs-OXIDE-Pb JUNCTION IN A QUANTIZING MAGNETIC FIELD.

Min'kov, G. M. & Kruzhaev, V. V., 1 янв 1980, В : Soviet Physics, Solid State (English translation of Fizika Tverdogo Tela). 22, 6, стр. 959-963 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Exchange interactions
Bias voltage
Doping (additives)
Scattering
Magnetic fields

POSSIBLE USE OF TUNNEL SPECTROSCOPY FOR DETERMINING THE ENERGY-DEPENDENCE OF THE EFFECTIVE MASS IN SEMICONDUCTORS

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1980, В : JETP Letters. 31, 3, стр. 154-157 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TUNNELING CONDUCTIVITY OSCILLATIONS OF N-INAS-OXIDE-PB JUNCTION IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELD

Minkov, G. M. & Kruzhaev, V. V., 1980, В : Физика твердого тела. 22, 6, стр. 1641-1648 8 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1979

APPLICATION OF TUNNEL SPECTROSCOPY IN A MAGNETIC-FIELD TO THE INVESTIGATION OF THE DISPERSION LAW OF A HEAVILY-DOPED N-INAS

Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Kruzhaev, VV., 1979, В : JETP Letters. 29, 7, стр. 365-369 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1978

INTERBAND ABSORPTION OF LIGHT IN INDIUM-PHOSPHIDE IN QUANTIZING MAGNETIC-FIELDS

Emlin, R. V., Zverev, L. P., Rut, O. E. & Korovina, N. V., 1978, В : Semiconductors. 12, 11, стр. 1243-1245 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1977
14 Цитирования (Scopus)

MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

Zverev, L. P., Negashev, S. A., Kruzhaev, V. V. & Min'kov, G. M., 1 янв 1977, В : Semiconductors. 11, 6, стр. 603-605 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Gallium arsenide
gallium
Energy gap
Doping (additives)
Exchange interactions
1976

DIRECT DETERMINATION OF FORBIDDEN-BAND WIDTH OF A HEAVILY DOPED SEMICONDUCTOR.

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Negashev, S. A. & Min'kov, G. M., 1 янв 1976, В : Semiconductors. 10, 3, стр. 337-338 2 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Tellurium
forbidden bands
tellurium
Semiconductor materials
Magnetic fields

MECHANISM OF ENERGY RELAXATION IN GaAs AT LOW TEMPERATURES.

Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв 1976, В : Semiconductors. 10, 12, стр. 1388-1390 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Phonons
phonons
Scattering
electron energy
Electron-phonon interactions

METHOD FOR DETERMINATION OF THE CONDUCTION MECHANISM IN SEMICONDUCTORS.

Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1 янв 1976, В : Semiconductors. 10, 4

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Electric fields
Semiconductor materials
conduction
conductivity
electric fields

PHOTOLUMINESCENCE EMITTED FROM p-TYPE GaAs DIFFUSION-DOPED WITH ZINC AND SUBJECTED TO A MAGNETIC FIELD.

Zverev, L. P., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв 1976, В : Semiconductors. 10, 6, стр. 609-612 4 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Zinc
Photoluminescence
zinc
Magnetic fields
photoluminescence
1 цитирование (Scopus)

SWITCHING TIME IN LOW-TEMPERATURE IMPURITY BREAKDOWN IN n-TYPE GaAs

Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв 1976, В : Semiconductors. 10, 6, стр. 716-717 2 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Carrier concentration
breakdown
Impurities
impurities
Temperature
1975

CURRENT FILAMENTATION IN IMPURITY BREAKDOWN IN N-TYPE GAAS

Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Sumin, N. K., 1975, В : Semiconductors. 8, 11, стр. 1457-1458 2 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1 цитирование (Scopus)

Investigations of the absorption edge of InP in a strong magnetic field

Zverev, L. P., Emlin, K. V. & Rut, O. E., 1 янв 1975, В : physica status solidi (b). 68, 1, стр. 93-97 5 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Magnetic fields
magnetic fields

OPTICAL HEATING OF ELECTRONS IN GaAs

Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1 янв 1975, В : Semiconductors. 9, 11, стр. 1420-1421 2 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Heating
heating
Electrons
Laser radiation
electrons
1974

INFLUENCE OF A STRONG MAGNETIC-FIELD ON PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM OF N-TYPE GALLIUM-ARSENIDE

Zverev, L. P., Minkov, G. M. & Negashev, S. A., 1974, В : Semiconductors. 7, 8, стр. 1056-1057 2 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

MECHANISM OF RADIATIVE RECOMBINATION IN STRONGLY DOPED P-GAAS

Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1974, В : JETP Letters. 20, 1, стр. 22-24 3 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование