• 9 Цитирования
  • 2 h-индекс
20132020

Результат исследований по году

Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Личный профиль

Научные интересы

  • Фундаментальные исследование особенностей атомного и электронного строения, оптических и электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур на основе A3B5;
  • Моделирование физических процессов в полупроводниковой технологии;
  • Диагностика низкоразмерных полупроводниковых систем с квантово-размерными неоднородностями дифрактометрическими и спектроскопическими методами;
  • Разработка фундаментальных основ создания новых биоактивных материалов совпадающих по составу, морфологическим и физико-химическим свойствам с зубной и костной тканью человека.

Образование/академическая квалификация

Физико-математические науки, доктор наук

15 июл 2013 → …

Физико-математические науки, кандидат наук

10 ноя 2006 → …

Fingerprint Отпечаток основан на индексе взвешенных терминов, извлеченных из научных документов, и определяет ключевые темы исследователя.

Сеть Последние внешние коллаборации на уровне страны. Узнайте подробнее, нажав точки.

Результат исследований

  • 9 Цитирования
  • 2 h-индекс
  • 22 Статья

Comparative analysis of dentine and gingival fluid molecular composition and protein conformations during development of dentine caries: A pilot study

Seredin, P., Goloshchapov, D., Ippolitov, Y. & Vongsvivut, J., мая 2020, В : Vibrational spectroscopy. 108, 9 стр., 103058.

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

  • Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures

    Seredin, P. V., Leiste, H., Lenshin, A. S. & Mizerov, A. M., 1 апр 2020, В : Applied Surface Science. 508, 14 стр., 145267.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатья

  • HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si

    Seredin, P. V., Leiste, H., Lenshin, A. S. & Mizerov, A. M., мар 2020, В : Results in Physics. 16, 3 стр., 102919.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатья

    Открытый доступ
  • Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

    Seredin, P. V., Goloshchapov, D. L., Zolotukhin, D. S., Lenshin, A. S., Khudyakov, Y. Y., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Arsentyev, I. N., Beltyukov, A. N., Leiste, H. & Kukushkin, S. A., 1 мая 2020, В : Semiconductors. 54, 5, стр. 596-608 13 стр.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатья

  • Optical Properties of GaN/SiC/por-Si/Si(111) Hybrid Heterostructures

    Seredin, P. V., Goloshchapov, D. L., Zolotukhin, D. S., Lenshin, A. S., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Nikitina, E. V., Arsentiev, I. N. & Kukushkin, S. A., 1 апр 2020, В : Semiconductors. 54, 4, стр. 417-425 9 стр.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатья

  • Проекты

    • 1 Активно

    Радиационная физика функциональных материалов

    Вайнштейн, И. А., Бирюков, Д. Ю., Валеева, А. А., Владимиров, А. П., Вохминцев, А. С., Зацепин, А. Ф., Звонарев, С. В., Кислов, А. Н., Клюкина, Е. О., Кортов, В. С., Моисейкин, Е. В., Никифоров, С. В., Сергеева, К. А., Ремпель, А. А., Ремпель, С. В., Слесарев, А. И., Спиридонов, Д. М., Штанг, Т. В., Устьянцев, Ю. Г., Хинайш, А. М. А., Чайкин, Д. В., Оштрах, М. И., Чукин, А. В., Козлова, Е. А., Шамирзаев, Т. С., Минин, М. Г., Казанцева, М. Г., Ананченко, Д. В., Ильин, Д. О., Камалов, Р. В., Киряков, А. Н., Лесничёва, А. С., Кузнецова, Ю. А., Максимов, Р. Н., Марченков, В. В., Михайлова, Ю. А., МИХАЙЛОВИЧ, А. П., Окатов, С. В., Попко, Е. А., Путырский, Д. С., Yakin, D. I., Ищенко, А. В., Мартемьянов, Н. А., Мартюшев, Л. М., Бунтов, Е. А., Журавлев, К. А., Середин, П. В., Глухов, А. В., Таланцев, Е. Ф., Сербин, Е. Д., Смородинский, Я. Г., Михайлов, А. В., Ригмант, М. Б., Костин, В. Н., Василенко, О. Н., Спаллино, Л., Савченко, С. С. & Дорошева, И. Б.

    07/12/2013 → …

    Проект: ИсследованиеКЦП