Подгорных, Сергей Михайлович

  • 65 Цитирования
  • 5 h-индекс
20072019
Если Вы внесли какие-либо изменения в Pure, они скоро будут видимы здесь.

Личный профиль

Образование/академическая квалификация

физ.-мат.науки, канд.н.

5 дек 1984 → …

Отпечаток Отпечаток основан на индексе взвешенных терминов, извлеченных из научных документов, и определяет ключевые темы исследователя.

  • 26 Похожие профили
quantum Hall effect Физика и астрономия
quantum wells Физика и астрономия
Quantum Hall effect Технические дисциплины и материаловедение
magnetic fields Физика и астрономия
plateaus Физика и астрономия
temperature dependence Физика и астрономия
electrons Физика и астрономия
Semiconductor quantum wells Технические дисциплины и материаловедение

Сеть Недавняя внешняя коллаборация на уровне стран. Углубитесь в детали нажатием на точки.

Результат исследований 2007 2019

  • 65 Цитирования
  • 5 h-индекс
  • 28 Статья
  • 1 Комментарий/Дебаты

HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Popov, M. R., Deriushkina, E. V., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 апр 2019, В : Low Temperature Physics. 45, 4, стр. 412-418 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

quantum Hall effect
plateaus
quantum wells
impurities
energy spectra

HgTe quantum wells with inverted band structure: Quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Neverov, V. N., Podgornykh, S. M., Popov, M. R., Deriushkina, E. V., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 апр 2019, В : Fizika Nizkikh Temperatur. 45, 4, стр. 476-483 8 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

quantum Hall effect
plateaus
quantum wells
impurities
energy spectra

Electron Effective Mass and g Factor in Wide HgTe Quantum Wells

Gudina, S. V., Neverov, V. N., Ilchenko, E. V., Bogolubskii, A. S., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв 2018, В : Semiconductors. 52, 1, стр. 12-18 7 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Semiconductor quantum wells
quantum wells
activation analysis
Activation analysis
Quantum Hall effect

Erratum to: Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures (Semiconductors, (2018), 52, 12, (1551-1558), 10.1134/S1063782618120102)

Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Ilchenko, E. V., Neverov, V. N., Savelyev, A. P., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Vasil’evskii, I. S. & Vinichenko, A. N., 1 дек 2018, В : Semiconductors. 52, 15, 1 стр.

Результат исследований: Вклад в журналКомментарий/ДебатыНаучно-исследовательскаярецензирование

Quantum Hall effect
quantum Hall effect
Semiconductor materials
scaling
conductivity
1 цитирование (Scopus)

Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

Gudina, S. V., Arapov, Y. G., Neverov, V. N., Savelyev, A. P., Podgornykh, S. M., Shelushinina, N. G., Yakunin, M. V., Vinichenko, A. N. & Vasil’evskii, I. S., 1 дек 2018, В : Semiconductors. 52, 12, стр. 1551-1558 8 стр.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Quantum Hall effect
Hall resistance
quantum Hall effect
scaling
conductivity