Исследование формирования регулярной доменной структуры в одноосных сегнетоэлектриках под действием сфокусированного ионного пучка для параметрической генерации света и преобразования частоты лазерного излучения

Проект: Проект-Грант

Описание

В работе разработан метод высокого разрешения для визуализации доменных структур, исследованы закономерности формирования и геометрических параметров доменов от условий облучения пучком заряженных частиц в различных кристаллах семейства ниобата лития, проведен расчет пространственного распределения электрических полей при облучении кристаллов ниобата лития ионным пучком.
Исследовано формирование изолированных доменов и эффект нестабильности формы доменной стенки при облучении ионным пучком кристаллов танталата лития. Получены основные закономерности геометрических параметров и взаимодействия растущих доменов от условий облучения.
Для кристаллов ниобата лития и танталата лития установлены оптимальные параметры формирования регулярных доменных структур (РДС) с малыми периодами (менее 2 мкм) для параметрической генерации света и преобразования частоты лазерного излучения. Предложена физическая модель переключения направления поляризации и формирования доменов при облучение сегнетоэлектрических кристаллов сфокусированным ионным пучком. Исследовано влияние электростатической зарядки поверхности на однородность и геометрические характеристики РДС. Предложены методы компенсации избыточного заряда поверхности и исследована их эффективность
СтатусЗавершено
Действительная дата начала/окончания01/01/201631/12/2017

Keywords

  • 29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
  • Грант Президента
  • НИЧ Куйбышева