Электронная структура, дефекты и фотоиндуцированные процессы в ионно-имплантированных нанокомпозитных материалах (рег)

Проект: Проект-Грант

Сведения о проекте

Описание

Проект направлен на решение фундаментальной научной проблемы радиационной физики твердого тела, связанной с изучением электронной структуры, дефектности и оптических свойств нанокомпозитных оксидных материалов на основе SiO2, GeO2, Al2O3 и сложных оксидов, получаемых методами ионно-лучевых технологий. Актуальность проекта определяется возможностью создания новых материалов и функциональных элементов для планарной микро-, оптоэлектроники и нанофотоники. Научная новизна проекта состоит в комплексном изучении природы взаимосвязей "Структура(дефектность) – размерность – спектр электронных состояний –функциональное свойство" ионно-имплантированных нанокомпозитов с использованием комплекса новейших спектроскопических методик и компьютерного моделирования. В результате выполнения проекта будет получена детальная информация о закономерностях формирования электронного строения модифицированных матриц, радиационных дефектов и квантовых точек. Будут получены новые фундаментальные знания о механизмах фотоиндуцированных процессов, особенностях излучательных и безызлучательных релаксаций в зависимости от дефектности и размерных факторов. В конечном счете полученная информация позволит сформулировать технологические рекомендации и оптимизировать функциональные свойства новых материалов с целью реализации их практического применения в оптоэлектронике и фотонике.
СтатусАктивный
Действительная дата начала/окончания19/12/201927/09/2022

ГРНТИ

  • 29.19.11 Дефекты кристаллической структуры

Площадка НИЧ УрФУ, где ведется данный грант (НИЧ Куйбышева, НИЧ Мира)

  • НИЧ Мира

Тип источника финансирования (РФФИ, РНФ, Х/Д, Гранты и т.д.)

  • РФФИ