ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СИСТЕМЫ AG–GE–AS–S

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Cинтезированы и аттестованы новые халькогениды серебра AgGe1 + xAs1 - xS3 (x = 0.1, 0.4–0.9), исследованы их электрические свойства при давлениях до 45 ГПа методом импедансной спектроскопии. В результате анализа годографов импеданса, барических зависимостей сопротивления и тангенса угла диэлектрических потерь установлены области существенных изменений электрических свойств образцов
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)400
ЖурналИзвестия Российской академии наук. Серия физическая
Том76
Номер выпуска3
СостояниеОпубликовано - 2012

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать