ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI

Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.
Переведенное названиеINFLUENCE OF A DISLOCATION FILTER BASED ON LT-GAAS ON THE PERFECTION OF GaAs/Si LAYERS
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)85-92
ЖурналАвтометрия
Том54
Номер выпуска2
СостояниеОпубликовано - 2018

Отпечаток

Annealing
Temperature
Heterojunctions
Surface roughness
Substrates

ГРНТИ

  • 29.19.00 Физика твердых тел

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

Абрамкин, Д. С., Петрушков, М. О., Емельянов, Е. А., Путято, М. А., Семягин, Б. Р., Васев, А. В., ... Шамирзаев, Т. С. (2018). ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. Автометрия, 54(2), 85-92.
Абрамкин, Д. С. ; Петрушков, М. О. ; Емельянов, Е. А. ; Путято, М. А. ; Семягин, Б. Р. ; Васев, А. В. ; Есин, М. Ю. ; Лошкарев, И. Д. ; Гутаковский, А. К. ; Преображенский, В. В. ; Шамирзаев, Т. С. / ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. В: Автометрия. 2018 ; Том 54, № 2. стр. 85-92.
@article{1393781bce2e4dac89485779dcb9810c,
title = "ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI",
abstract = "Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.",
author = "Абрамкин, {Д. С.} and Петрушков, {М. О.} and Емельянов, {Е. А.} and Путято, {М. А.} and Семягин, {Б. Р.} and Васев, {А. В.} and Есин, {М. Ю.} and Лошкарев, {И. Д.} and Гутаковский, {А. К.} and Преображенский, {В. В.} and Шамирзаев, {Т. С.}",
year = "2018",
language = "Русский",
volume = "54",
pages = "85--92",
journal = "Автометрия",
issn = "0320-7102",
publisher = "Издательство Сибирского отделения Российской академии наук",
number = "2",

}

Абрамкин, ДС, Петрушков, МО, Емельянов, ЕА, Путято, МА, Семягин, БР, Васев, АВ, Есин, МЮ, Лошкарев, ИД, Гутаковский, АК, Преображенский, ВВ & Шамирзаев, ТС 2018, 'ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI' Автометрия, том. 54, № 2, стр. 85-92.

ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. / Абрамкин, Д. С.; Петрушков, М. О.; Емельянов, Е. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Васев, А. В.; Есин, М. Ю.; Лошкарев, И. Д.; Гутаковский, А. К.; Преображенский, В. В.; Шамирзаев, Т. С.

В: Автометрия, Том 54, № 2, 2018, стр. 85-92.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI

AU - Абрамкин, Д. С.

AU - Петрушков, М. О.

AU - Емельянов, Е. А.

AU - Путято, М. А.

AU - Семягин, Б. Р.

AU - Васев, А. В.

AU - Есин, М. Ю.

AU - Лошкарев, И. Д.

AU - Гутаковский, А. К.

AU - Преображенский, В. В.

AU - Шамирзаев, Т. С.

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

AB - Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32794882

M3 - Статья

VL - 54

SP - 85

EP - 92

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 2

ER -

Абрамкин ДС, Петрушков МО, Емельянов ЕА, Путято МА, Семягин БР, Васев АВ и соавт. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GAAS НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GAAS/SI. Автометрия. 2018;54(2):85-92.