ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ И СОСТАВ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО IN 2S 3

Методом химического осаждения из водных сред при 80 оС синтезирован нанокристаллический сульфид индия (III) в пленочном и порошкообразном состоянии. Методом рентгеновской дифракции выявлена кубическая структура пленок In 2S 3 с постоянной кристаллической решетки а = 1,0734 нм. Растровой электронной микроскопией установлено, что сульфид индия (III) в порошкообразном виде представлен сферическими агрегатами диаметром от 0,3 до 5,5 мкм, составленными из кристаллитов плоской формы размером ~30 нм. Пленки сформированы из нитевидных образований от 40 до 70 нм. Элементным анализом тонкопленочного In 2S 3 установлено увеличение в нем содержания кислорода при термическом отжиге в интервале температур 275-495 оС от 8,5 до 67,8 % (ат.) с одновременным снижением содержания серы с 53,3 до 5,5 % (ат.). Термогравиметрическим анализом в среде аргона выявлена устойчивость порошкообразного In2S3 к термической деструкции до 300 оC, дальнейший нагрев ведет к фазовому переходу α-In2S3 в β-модификацию.