ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С INAS/ALAS КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ГИБРИДНЫХ ПОДЛОЖКАХ GAAS/SI

Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Тимур Сезгирович Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое --- тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.
Переведенное названиеHeterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1373-1379
Число страниц6
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том52
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 2018

Отпечаток

Semiconductor quantum wells
Semiconductor quantum dots
Heterojunctions
quantum dots
quantum wells
Substrates
Photoluminescence
photoluminescence
Charge carriers
wetting
Wetting
charge carriers
Quenching
quenching
trapping
Temperature
Defects
defects
matrices
temperature

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{8b5963637f4f4798a3edff390acde216,
title = "ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С INAS/ALAS КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ГИБРИДНЫХ ПОДЛОЖКАХ GAAS/SI",
abstract = "Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое --- тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.",
author = "Абрамкин, {Д. С.} and Петрушков, {М. О.} and Путято, {М. А.} and Семягин, {Б. Р.} and Шамирзаев, {Тимур Сезгирович}",
year = "2018",
doi = "10.21883/FTP.2018.11.46601.23",
language = "Русский",
volume = "52",
pages = "1373--1379",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "11",

}

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С INAS/ALAS КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ГИБРИДНЫХ ПОДЛОЖКАХ GAAS/SI. / Абрамкин, Д. С.; Петрушков, М. О.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Шамирзаев, Тимур Сезгирович.

В: Физика и техника полупроводников, Том 52, № 11, 2018, стр. 1373-1379.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С INAS/ALAS КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ГИБРИДНЫХ ПОДЛОЖКАХ GAAS/SI

AU - Абрамкин, Д. С.

AU - Петрушков, М. О.

AU - Путято, М. А.

AU - Семягин, Б. Р.

AU - Шамирзаев, Тимур Сезгирович

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое --- тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.

AB - Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5-80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое --- тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=36903616

U2 - 10.21883/FTP.2018.11.46601.23

DO - 10.21883/FTP.2018.11.46601.23

M3 - Статья

VL - 52

SP - 1373

EP - 1379

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 11

ER -