ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ. ЧАСТЬ 38. ГИДРОХИМИЧЕСКИЕ ОСАЖДЕНИЕ СЕЛЕНОСУЛЬФАТОМ НАТРИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК HGSE N-ТИПА

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Бинарное полупроводниковое соединение HgSe в тонкопленочном состоянии представляет интерес в качестве материала для фундаментальных исследований благодаря своей необычной зонной структуре и практическому применению в качестве фотодетекторов, ИК-излучателей, перестраиваемых лазеров, ультразвуковых и газовых датчиков, катализаторов, светоотражающих материалов, преобразователей солнечной энергии. Существующие методы получения полупроводниковых слоев HgSe включают как физические, так и химические. В работе отмечается, что перспективным является химическое осаждение селенида ртути селеносульфатом натрия, исключающим образование цианамида металла. На основе представления об обратимом характере гидролитического разложения селеносульфата натрия в водных растворах проведен термодинамический анализ условий осаждения и установлены концентрационные области образования основной HgSe и примесной Hg(OH)2 твердых фаз из щелочных реакционных систем “Hg(NO3)2 - NH4SCN - Na2SeSO3” и “Hg(NO3)2 - NH4SCN - NH4I - Na2SeSO3” (рН = 8...
Переведенное названиеChemical bath synthesis of metal chalcogenide films. Part 32. Chemicalbathdeposition of n-tipe thin films of HgSe by sodium selenosulfate
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)91-101
ЖурналБутлеровские сообщения
Том56
Номер выпуска12
СостояниеОпубликовано - 2018

ГРНТИ

  • 31.00.00 ХИМИЯ

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ. ЧАСТЬ 38. ГИДРОХИМИЧЕСКИЕ ОСАЖДЕНИЕ СЕЛЕНОСУЛЬФАТОМ НАТРИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК HGSE N-ТИПА». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать