ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Определены граничные условия и области образования сульфида и селенида индия (III) при осаждении тиокарбамидом и селенокарбамидом. Проведено потенциометрическое титрование хлорида индия InCl3 в области концентраций 0.0001–0.100 моль/л раствором гидроксида натрия. Установлено, что оптимальными для осаждения пленок In2S3 и In2Se3 являются области pH: от 3.0 до 4.5 и от 9.0 до 14.0. Гидрохимическим осаждением на ситалле получены слои селенида индия толщиной 100–300 нм.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1791
Число страниц1
ЖурналЖурнал физической химии
Том87
Номер выпуска10
DOI
СостояниеОпубликовано - 2013

ГРНТИ

  • 31.00.00 ХИМИЯ

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать