Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке: патент на изобретение

Результат исследований: Патент

Аннотация

Изобретение относится к материаловедению. Пленка оксида кремния на кремниевой подложке, имплантированная ионами олова, включает нанокластеры альфа-олова. Толщина пленки составляет 80÷350 нм, средняя концентрация олова находится в пределах от 2,16 до 7,1 атомных процентов, нанокластеры альфа-олова имеют радиус от 1,5 до 4 нм. Пленка имеет увеличенную интенсивность и уменьшенную ширину полосы фотолюминесценции в диапазоне 700÷1100 нм.
Переведенное названиеTIN ION-IMPLANTED SILICON OXIDE FILM ON SILICON SUBSTRATE: patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2535244
IPCH01L 21/265,B82B 3/00
Дата подачи заявки18/06/2013
СостояниеОпубликовано - 10 дек 2014

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Имплантированная ионами олова пленка оксида кремния на кремниевой подложке: патент на изобретение». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать