КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS

С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Сергей Михайлович Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Михаил Викторович Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1669-1674
Число страниц6
ЖурналФизика и техника полупроводников
СостояниеОпубликовано - 2016

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Савельев, А. П., Неверов, В. Н., Подгорных, С. М., Шелушинина, Н. Г., ... Виниченко, А. Н. (2016). КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS. Физика и техника полупроводников, 1669-1674.
Гудина, С.В. ; Арапов, Ю.Г. ; Савельев, А.П. ; Неверов, В.Н. ; Подгорных, Сергей Михайлович ; Шелушинина, Н.Г. ; Якунин, Михаил Викторович ; Васильевский, И.С. ; Виниченко, А.Н. / КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS. В: Физика и техника полупроводников. 2016 ; стр. 1669-1674.
@article{dc3ae2bd8cb1472fbf2de6c628e35ea5,
title = "КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS",
abstract = "Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.",
author = "С.В. Гудина and Ю.Г. Арапов and А.П. Савельев and В.Н. Неверов and Подгорных, {Сергей Михайлович} and Н.Г. Шелушинина and Якунин, {Михаил Викторович} and И.С. Васильевский and А.Н. Виниченко",
year = "2016",
language = "Русский",
pages = "1669--1674",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

}

Гудина, СВ, Арапов, ЮГ, Савельев, АП, Неверов, ВН, Подгорных, СМ, Шелушинина, НГ, Якунин, МВ, Васильевский, ИС & Виниченко, АН 2016, 'КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS' Физика и техника полупроводников, стр. 1669-1674.

КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS. / Гудина, С.В.; Арапов, Ю.Г.; Савельев, А.П.; Неверов, В.Н.; Подгорных, Сергей Михайлович; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, Михаил Викторович; Васильевский, И.С.; Виниченко, А.Н.

В: Физика и техника полупроводников, 2016, стр. 1669-1674.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS

AU - Гудина, С.В.

AU - Арапов, Ю.Г.

AU - Савельев, А.П.

AU - Неверов, В.Н.

AU - Подгорных, Сергей Михайлович

AU - Шелушинина, Н.Г.

AU - Якунин, Михаил Викторович

AU - Васильевский, И.С.

AU - Виниченко, А.Н.

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.

AB - Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=27369071

M3 - Статья

SP - 1669

EP - 1674

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

ER -