КВАНТОВЫЙ ЭФФЕКТ ХОЛЛА И ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/INALAS

С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, А.П. Савельев, В.Н. Неверов, Сергей Михайлович Подгорных, Н.Г. Шелушинина, Михаил Викторович Якунин, И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

Аннотация

Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/InAlAs при температурах T=(1.8-30) K в магнитных полях до B=9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1669-1674
Число страниц6
ЖурналФизика и техника полупроводников
СостояниеОпубликовано - 2016

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать