КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III)

Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих нитрат индия, тиоацетамид, винную кислоту и солянокислый гидроксиламин, в области температур 333-368 К были получены тонкие пленки сульфида индия(III). Исследована кинетика осаждения In2S3 и роста пленок в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы в объеме раствора. Выведено формально-кинетическое уравнение скорости образования сульфида индия(III), учитывающее частные порядки реакции химического осаждения In2S3 по компонентам системы и энергию активации процесса. Исследована кинетика роста пленок In2S3 в системе винная кислота-гидроксиламин в зависимости от состава реакционной смеси, температуры и продолжительности синтеза.