КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ

Александр Евгеньевич Галашев, Ксения Андреевна Иваничкина

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.
Переведенное названиеComputer study of silicene applicability in electrochemical devices
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)691-700
Число страниц10
ЖурналЖурнал структурной химии
Том61
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 2020

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать