КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ

Александр Евгеньевич Галашев; Ксения Андреевна Иваничкина

doi:10.26902/JSC_id54058

КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ

Александр Евгеньевич Галашев, Ксения Андреевна Иваничкина

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

Аннотация

Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.

Переведенное название	Computer study of silicene applicability in electrochemical devices
Язык оригинала	Русский
Страницы (с-по)	691-700
Число страниц	10
Журнал	Журнал структурной химии
Том	61
Номер выпуска	4
DOI	https://doi.org/10.26902/JSC_id54058
Состояние	Опубликовано - 2020

ГРНТИ

29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

Перечень ВАК

Ссылки

10.26902/JSC_id54058

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42709237

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать

@article{a09f9458b29144879b7d57c70e650506,

title = "КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ",

abstract = "Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.",

author = "Галашев, {Александр Евгеньевич} and Иваничкина, {Ксения Андреевна}",

year = "2020",

doi = "10.26902/JSC_id54058",

language = "Русский",

volume = "61",

pages = "691--700",

journal = "Журнал структурной химии",

issn = "0136-7463",

publisher = "Издательство Сибирского отделения Российской академии наук",

number = "4",

}

КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ. / Галашев, Александр Евгеньевич; Иваничкина, Ксения Андреевна.

В: Журнал структурной химии, Том 61, № 4, 2020, стр. 691-700.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

TY - JOUR

T1 - КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕНИМОСТИ СИЛИЦЕНА В ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ

AU - Галашев, Александр Евгеньевич

AU - Иваничкина, Ксения Андреевна

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.

AB - Методом молекулярной динамики исследованы новые анодные материалы, полученные из силицена на металлических подложках. По степени заполняемости анода и его механической прочности предпочтение отдается подложкам Ni(111) и Cu(111). Наибольшая степень кристалличности упаковки реализуется в силиценовом канале на подложке Ag(111). Самые низкие локальные нормальные напряжения появляются в стенках канала на подложке Al(111). Определен профиль электрического напряжения как функция концентрации Li, адсорбированного на двухслойный свободностоящий силицен.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42709237

U2 - 10.26902/JSC_id54058

DO - 10.26902/JSC_id54058

M3 - Статья

VL - 61

SP - 691

EP - 700

JO - Журнал структурной химии

JF - Журнал структурной химии

SN - 0136-7463

IS - 4

ER -