КОМПЬЮТЕРНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ СИЛИЦЕНОВОГО КАНАЛА С ПОМОЩЬЮ ТРАНСПОРТА ИОНА LI+ В НЕМ

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование движения иона лития под действием электрического поля в силиценовом канале, находящемся на подложке Ag(111). Стенки силиценового канала образованы как совершенным силиценом, так и силиценом, заполненным вакансионными дефектами разного типа. Установлено, что площадь поверхности силицена при движении иона Li+ по силиценовому каналу, как правило, увеличивается. Показано, что при наличии в силицене моно- и бивакансий шероховатость его поверхности оказывается более низкой, чем в присутствии три- и гексавакансий, а также в случае совершенного силицена. Движущийся ион лития использован в качестве зонда для исследования структуры внутренних стенок канала. Вокруг местоположений иона в разные моменты времени построены многогранники Вороного; одна из главных особенностей полученных распределений элементов многогранников – укороченный спектр угловых размещений геометрических соседей с углами θ, образуемыми парами атомов Si и центром (вершиной угла) многогранника. Такой тип θ-спектра объяснен постоянным близким расположением иона Li+ к одному из образующих канал листов силицена.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)562-567
Число страниц6
ЖурналЖурнал физической химии
Том95
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 2021

ГРНТИ

  • 31.00.00 ХИМИЯ

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать