Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов

Владимир Тимурович Шамирзаев, Владимир Анатольевич Гайслер, Тимур Сезгирович Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательская

Аннотация

Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1513-1518
Число страниц6
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том50
Номер выпуска11
СостояниеОпубликовано - 2016

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{d36af030616e4c4689dfe0d65f68fe48,
title = "Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов",
abstract = "Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97{\%}. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.",
author = "Шамирзаев, {Владимир Тимурович} and Гайслер, {Владимир Анатольевич} and Шамирзаев, {Тимур Сезгирович}",
year = "2016",
language = "Русский",
volume = "50",
pages = "1513--1518",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "11",

}

Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов. / Шамирзаев, Владимир Тимурович; Гайслер, Владимир Анатольевич; Шамирзаев, Тимур Сезгирович.

В: Физика и техника полупроводников, Том 50, № 11, 2016, стр. 1513-1518.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательская

TY - JOUR

T1 - Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов

AU - Шамирзаев, Владимир Тимурович

AU - Гайслер, Владимир Анатольевич

AU - Шамирзаев, Тимур Сезгирович

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.

AB - Приведены результаты исследования спектрального состава излучения ультрафиолетовых InGaN/GaN светоизлучающих диодов и его зависимости от текущего через структуру тока. Интенсивность ультрафиолетового вклада в интегральную люминесценцию диода монотонно возрастает с ростом плотности текущего через структуру тока, несмотря на падение квантовой эффективности излучения. Установлены условия возбуждения электролюминесценции, позволяющие увеличить долю ультрафиолетового излучения до 97%. Показано, что неоднородная генерация протяженных дефектов, пронизывающих активную область светодиодов в процессе деградации структур при локальном токовом перегреве уменьшает интегральную интенсивность излучения, но не оказывает влияния на относительную интенсивность излучения диода в ультрафиолетовой (370 нм) и видимой (550 нм) областях спектра.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=27369041

M3 - Статья

VL - 50

SP - 1513

EP - 1518

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 11

ER -