Аннотация

Методом анодирования выращен слой толщиной 500 нм из нанотрубок диоксида титана (TiO2-NT), средний диаметр которых составлял 60 нм. Продемонстрировано типичное мемристивное поведение синтезированных структур Ti/TiO2-NT/Au в полных циклах резистивного переключения и при процессах многократного считывания информации. Для полученных мемристорных образцов выполнены оценки сопротивлений в низко- (RLRS 3 Ом) и высокоомном (RHRS 180 Ом) состояниях.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1176-1179
ЖурналИзвестия Российской академии наук. Серия физическая
Том78
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - 2014

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать