НЕУНИВЕРСАЛЬНОЕ СКЕЙЛИНГОВОЕ ПОВЕДЕНИЕ ШИРИНЫ ПИКОВ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРАХ INGAAS/INALAS

С.В. Гудина, Юрий Г. Арапов, Е. В. Ильченко, Владимир Н. Неверов, А.П. Савельев, Сергей Михайлович Подгорных, Нина Г. Шелушинина, Михаил Викторович Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Проведено исследование продольного rhoxx и холловского rhoxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T=0.4-30 K в двумерных электронных системах n-In0.9Ga0.1Аs/In0.81Al0.19As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления rhoxx, связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.
Переведенное названиеNonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1447-1454
Число страниц8
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том52
Номер выпуска12
DOI
СостояниеОпубликовано - 2018

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «НЕУНИВЕРСАЛЬНОЕ СКЕЙЛИНГОВОЕ ПОВЕДЕНИЕ ШИРИНЫ ПИКОВ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРАХ INGAAS/INALAS». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать