Аннотация
Проведено исследование продольного rhoxx и холловского rhoxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T=0.4-30 K в двумерных электронных системах n-In0.9Ga0.1Аs/In0.81Al0.19As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления rhoxx, связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.
Переведенное название | Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Страницы (с-по) | 1447-1454 |
Число страниц | 8 |
Журнал | Физика и техника полупроводников |
Том | 52 |
Номер выпуска | 12 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 2018 |
ГРНТИ
- 29.00.00 ФИЗИКА
Уровень публикации
- Перечень ВАК