Неупругое рассеяние света электронными и фононными возбуждениями FeSi

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике Ее8! Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной ~ 70мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)359-364
Число страниц6
ЖурналПисьма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
Том103
Номер выпуска5-6
СостояниеОпубликовано - 2016

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{85070b0fa65042598e5e673f5c7fea47,
title = "Неупругое рассеяние света электронными и фононными возбуждениями FeSi",
abstract = "Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике Ее8! Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной ~ 70мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.",
author = "Поносов, {Юрий Сергеевич} and Шориков, {Алексей Олегович} and Стрельцов, {Сергей Владимирович} and Лукоянов, {Алексей Владимирович} and Н.И. Щеголихина and А.Ф. Прекул and Анисимов, {Владимир Ильич}",
year = "2016",
language = "Русский",
volume = "103",
pages = "359--364",
journal = "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики",
issn = "0370-274X",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "5-6",

}

TY - JOUR

T1 - Неупругое рассеяние света электронными и фононными возбуждениями FeSi

AU - Поносов, Юрий Сергеевич

AU - Шориков, Алексей Олегович

AU - Стрельцов, Сергей Владимирович

AU - Лукоянов, Алексей Владимирович

AU - Щеголихина, Н.И.

AU - Прекул, А.Ф.

AU - Анисимов, Владимир Ильич

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике Ее8! Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной ~ 70мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.

AB - Исследована температурная эволюция (10-500 К) спектров неупругого рассеяния света электронными и фононными возбуждениями в полупроводнике Ее8! Частотная зависимость спектра электронного рассеяния демонстрирует исчезающую интенсивность в области до 500-600 см-1 при низких температурах, свидетельствуя о наличии щели величиной ~ 70мэВ. Расчеты спектра электронных возбуждений, выполненные на основе электронной структуры, полученной с помощью метода LDA+DMFT (приближение локальной электронной плотности + динамическое среднее поле), удовлетворительно описывают экспериментальные данные при низких температурах и подтверждают, что FeSi относится к веществам со средней величиной электронных корреляций. Изменения формы спектра электронных возбуждений и собственных энергий оптических фононов указывают на переход в металлическое состояние при увеличении температуры выше 100 К. Анализ экспериментальных результатов свидетельствует о существенном уменьшении времени жизни электронов с ростом температуры, определяющем переход изолятор-плохой металл.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=26184385

M3 - Статья

VL - 103

SP - 359

EP - 364

JO - Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

JF - Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

SN - 0370-274X

IS - 5-6

ER -