ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ

Проведено атомистическое моделирование деформации идеального кристалла магния вдоль кристаллографической оси [112-0]. Детально рассмотрено изменение дефектов кристаллической структуры в процессе нагружения при Т = 300-350 К. Установлено, что зарождение дислокаций в идеальном кристалле происходит при достижении уровня напряжений 0.1G (G - модуль сдвига). Действующими деформационными модами явились призматическое скольжение a-дислокаций и {101-3}-двойникование. Наблюдалось образование дислокационных сеток и дислокационных узлов в плоскости двойникования. Предлагаются реакции, описывающие эволюцию дислокаций в плоскости (3-034).