TY - PAT
T1 - Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением
T2 - патент на полезную модель
AU - Шмыгалев, Александр Сергеевич
AU - Фатьянов, Степан Владимирович
AU - Корсаков, Александр Сергеевич
AU - Жукова, Лия Васильевна
PY - 2016/4/10
Y1 - 2016/4/10
N2 - Полезная модель относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно, к мощным тиристорам с оптическим управлением, которые являются важнейшими компонентами современной элементной базы преобразовательной техники, и применяются в высоковольтных преобразовательных устройствах линий электропередач постоянного тока и других силовых агрегатах. Благодаря использованию в качестве источника излучения СО-лазера инфракрасный импульс на длине волны 5000-6000 нм проникает в кремниевую тиристорную структуру на глубину до 10 раз превышающую глубину проникновения управляющего светового импульса лазерного диода (940-980 нм). Следовательно, можно изготавливать тиристорную структуру без шунтирования, что в значительной степени упростит и удешевит процесс их производства. Кроме того, применение в качестве оптоволоконного канала инфракрасных световодов на основе твердых растворов галогенидов серебра AgClXBr1-X, прозрачных в широком спектральном диапазоне от 400 до 30000 нм, хорошо согласуется с прозрачностью кремниевой тиристорной структуры в диапазоне от 1000 до 8000 нм. Полезная модель «Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением» направлена на увеличение надежности и стабильности его работы в энергоемких устройствах при высоких уровнях токов и напряжений, а также повышенном уровне электромагнитных помех.
AB - Полезная модель относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно, к мощным тиристорам с оптическим управлением, которые являются важнейшими компонентами современной элементной базы преобразовательной техники, и применяются в высоковольтных преобразовательных устройствах линий электропередач постоянного тока и других силовых агрегатах. Благодаря использованию в качестве источника излучения СО-лазера инфракрасный импульс на длине волны 5000-6000 нм проникает в кремниевую тиристорную структуру на глубину до 10 раз превышающую глубину проникновения управляющего светового импульса лазерного диода (940-980 нм). Следовательно, можно изготавливать тиристорную структуру без шунтирования, что в значительной степени упростит и удешевит процесс их производства. Кроме того, применение в качестве оптоволоконного канала инфракрасных световодов на основе твердых растворов галогенидов серебра AgClXBr1-X, прозрачных в широком спектральном диапазоне от 400 до 30000 нм, хорошо согласуется с прозрачностью кремниевой тиристорной структуры в диапазоне от 1000 до 8000 нм. Полезная модель «Оптоэлектронный волоконный тиристор, управляемый инфракрасным излучением» направлена на увеличение надежности и стабильности его работы в энергоемких устройствах при высоких уровнях токов и напряжений, а также повышенном уровне электромагнитных помех.
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37565385
M3 - Патент
M1 - 161219
Y2 - 2015/07/27
PB - Федеральный институт промышленной собственности
ER -