Аннотация
Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 %. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.
Переведенное название | Deposition of silicon carbonitride coatings in the plasma of high-current discharge with self-heated hollow cathode |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Страницы (с-по) | 168-172 |
Число страниц | 5 |
Журнал | Известия высших учебных заведений. Физика |
Том | 61 |
Номер выпуска | 8-2 (728) |
Состояние | Опубликовано - 2018 |
ГРНТИ
- 29.00.00 ФИЗИКА
Уровень публикации
- Перечень ВАК