ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ

Андрей Игоревич Меньшаков, Даниил Рафаилович Емлин, Николай Васильевич Гаврилов , Юрий Сергеевич Сурков, Сеиф Османович Чолах

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 %. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.
Переведенное названиеDeposition of silicon carbonitride coatings in the plasma of high-current discharge with self-heated hollow cathode
ЯзыкРусский
Страницы168-172
Число страниц5
ЖурналИзвестия высших учебных заведений. Физика
Том61
Номер выпуска8-2 (728)
СостояниеОпубликовано - 2018

Отпечаток

Carbon nitride
silicon
coating
Cathodes
Plasmas
plasma
Silicon
Coatings
Microhardness
spectroscopy
decomposition
Decomposition
Nitrogen plasma
Atomizers
Optical emission spectroscopy
nitrogen
Deposition rates
Gas mixtures
Infrared spectroscopy
Anodes

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{423257409f53423d961ab1a9ec854f38,
title = "ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ",
abstract = "Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 {\%}. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.",
author = "Меньшаков, {Андрей Игоревич} and Емлин, {Даниил Рафаилович} and Гаврилов, {Николай Васильевич} and Сурков, {Юрий Сергеевич} and Чолах, {Сеиф Османович}",
year = "2018",
language = "Русский",
volume = "61",
pages = "168--172",
journal = "Известия высших учебных заведений. Физика",
issn = "0021-3411",
publisher = "Национальный исследовательский Томский государственный университет",
number = "8-2 (728)",

}

ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ. / Меньшаков, Андрей Игоревич; Емлин, Даниил Рафаилович; Гаврилов , Николай Васильевич; Сурков, Юрий Сергеевич; Чолах, Сеиф Османович.

В: Известия высших учебных заведений. Физика, Том 61, № 8-2 (728), 2018, стр. 168-172.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ

AU - Меньшаков, Андрей Игоревич

AU - Емлин, Даниил Рафаилович

AU - Гаврилов , Николай Васильевич

AU - Сурков, Юрий Сергеевич

AU - Чолах, Сеиф Османович

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 %. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.

AB - Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 %. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=36517111

M3 - Статья

VL - 61

SP - 168

EP - 172

JO - Известия высших учебных заведений. Физика

T2 - Известия высших учебных заведений. Физика

JF - Известия высших учебных заведений. Физика

SN - 0021-3411

IS - 8-2 (728)

ER -