ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ

Андрей Игоревич Меньшаков, Даниил Рафаилович Емлин, Николай Васильевич Гаврилов , Юрий Сергеевич Сурков, Сеиф Османович Чолах

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Исследован способ низкотемпературного (< 200 ºС) осаждения покрытий на основе SiCN в камере большого объема (0.3 м3) разложением кремнийорганического прекурсора в азотной плазме разряда с самонакаливаемым полым катодом и удалённо расположенным анодом (40 см) при давлении ~ 0.06 Па. Изучено влияние тока разряда (10-30 А), потока газовой смеси (3-6 см3/мин - гексаметилдисилазан и 30 см3/мин - азот) и расположения образцов в камере на скорость осаждения (до 5 мкм/ч), микротвердость (3-9 ГПа), внутренние напряжения (1-2 ГПа). Определены размеры зоны обработки образцов ( h 300´ d 120- D 180 мм), в которой неоднородность покрытия по толщине не превышает 20 %. Проведен анализ состава покрытий методом ИК-спектроскопии и анализ состава плазмы оптической эмиссионной спектроскопией. Показано, что с ростом тока увеличивается степень разложения молекул прекурсора. Максимальная твердость достигнута при токе разряда 20 А на образцах, расположенных на расстоянии 12 см от испарителя.
Переведенное названиеDeposition of silicon carbonitride coatings in the plasma of high-current discharge with self-heated hollow cathode
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)168-172
Число страниц5
ЖурналИзвестия высших учебных заведений. Физика
Том61
Номер выпуска8-2 (728)
СостояниеОпубликовано - 2018

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ КАРБОНИТРИДА КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ СИЛЬНОТОЧНОГО РАЗРЯДА С САМОНАКАЛИВАЕМЫМ ПОЛЫМ КАТОДОМ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать