ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

Александр Павлович Носов, С. С. Дубинин, В. И. Осотов

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

В работе представлены результаты структурных исследований буферных слоев CeO2 выращенных методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках из r-Al2O3 ( ) при температуре подожки 750С. Экспериментально показано, что при изменении давления кислорода в процессе роста, в условиях сохранения неизменными остальных параметров роста, возможно получение буферных слоев с разной кристаллографической ориентацией: при давлении кислорода 0,002 мбар буферные слои имеют ориентацию (111), а при давлении кислорода 0,2 мбар (002). Полученные результаты могут представлять интерес для получения эпитаксиальных пленок и наногетероструктур со слоями из высокотемпературных сверхпроводников и допированных манганитов на монокристаллических подложках r-Al2O3 с буферными слоями из CeO2.
Переведенное названиеFEATURES OF CRYSTALLOGRAPHIC STRUCTURE OF CeO2 BUFFER LAYERS ON r-Al2O3 OBTAINED BY PULSE LASER DEPOSITION METHOD
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)26-29
Число страниц4
ЖурналМеждународный научно-исследовательский журнал
Номер выпуска12-1 (90)
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ БУФЕРНЫХ СЛОЕВ CEO2 НА R-AL2O3 ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать