Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с delta-легированием марганцем

А.М. Луговых, Татьяна Борисовна Чарикова, Всеволод Игоревич Окулов, К.Д. Моисеев, Ю.А. Кудрявцев

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

"Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga0.84In0.16As/GaAs и с delta-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками. Обнаружено изменение в поведении сопротивления и намагниченности при упорядочении локализованных магнитных моментов в покровном слое вследствие изменения топологии распределения ионов марганца. Работа выполнена в рамках федеральной целевой программы "Электрон" N 01201463326 при частичной финансовой поддержке программы фундаментальных исследований УрО РАН (грант N 15-7-2-32) и РФФИ (грант N 15-02-08909)."
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)2160-2163
Число страниц4
ЖурналФизика твердого тела
Том58
Номер выпуска11
СостояниеОпубликовано - 2016

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать