ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ

Владимир Тимурович Шамирзаев; Владимир Анатольевич Гайслер; Тимур Сезгирович Шамирзаев

doi:10.15372/AUT20160505

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ

Владимир Тимурович Шамирзаев, Владимир Анатольевич Гайслер, Тимур Сезгирович Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

Аннотация

Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.

Переведенное название	NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN HIGH-POWER LASER InGaN/GaN DIODES
Язык оригинала	Русский
Страницы (с-по)	31-36
Число страниц	6
Журнал	Автометрия
Том	52
Номер выпуска	5
DOI	https://doi.org/10.15372/AUT20160505
Состояние	Опубликовано - 2016

Уровень публикации

Перечень ВАК

Ссылки

10.15372/AUT20160505

eLIBRARY.RU

Цитировать

Шамирзаев, Владимир Тимурович ; Гайслер, Владимир Анатольевич ; Шамирзаев, Тимур Сезгирович. / ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ. В: Автометрия. 2016 ; Том 52, № 5. стр. 31-36.

@article{8304259b8a434b2eb41022e321f67f20,

title = "ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ",

abstract = "Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.",

author = "Шамирзаев, {Владимир Тимурович} and Гайслер, {Владимир Анатольевич} and Шамирзаев, {Тимур Сезгирович}",

year = "2016",

doi = "10.15372/AUT20160505",

language = "Русский",

volume = "52",

pages = "31--36",

journal = "Автометрия",

issn = "0320-7102",

publisher = "Издательство Сибирского отделения Российской академии наук",

number = "5",

}

ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ. / Шамирзаев, Владимир Тимурович; Гайслер, Владимир Анатольевич; Шамирзаев, Тимур Сезгирович.

В: Автометрия, Том 52, № 5, 2016, стр. 31-36.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

TY - JOUR

T1 - ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ

AU - Шамирзаев, Владимир Тимурович

AU - Гайслер, Владимир Анатольевич

AU - Шамирзаев, Тимур Сезгирович

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.

AB - Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=27182629

U2 - 10.15372/AUT20160505

DO - 10.15372/AUT20160505

M3 - Статья

VL - 52

SP - 31

EP - 36

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 5

ER -