ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN-ДИОДАХ

Владимир Тимурович Шамирзаев, Владимир Анатольевич Гайслер, Тимур Сезгирович Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.
Переведенное названиеNEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN HIGH-POWER LASER InGaN/GaN DIODES
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)31-36
Число страниц6
ЖурналАвтометрия
Том52
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 2016

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать