Аннотация
Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.
Переведенное название | NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN HIGH-POWER LASER InGaN/GaN DIODES |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Страницы (с-по) | 31-36 |
Число страниц | 6 |
Журнал | Автометрия |
Том | 52 |
Номер выпуска | 5 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 2016 |
Уровень публикации
- Перечень ВАК