ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНО-РАЗРЕШЕННОЙ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Аннотация

Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.
Переведенное названиеPARAMETERS OF THE SPECTRAL-RESOLVED THERMOLUMINESCENCE OF HEXAGONAL BORON NITRIDE
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)66-72
Число страниц7
ЖурналСИБИРСКИЙ ФИЗИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Том12
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 2017

Отпечаток

boron nitrides
thermoluminescence
luminescence
traps
electrons
kinetics
ultraviolet radiation
spectral resolution
escape
conduction bands
boron
energy levels
charge transfer
activation
activation energy
valence
carbon
wavelengths
energy

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{4996ecb2311246dab525a6bb9507a70c,
title = "ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНО-РАЗРЕШЕННОЙ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА",
abstract = "Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.",
author = "Вохминцев, {Александр Сергеевич} and Вайнштейн, {Илья Александрович} and Минин, {Максим Геннадьевич}",
year = "2017",
doi = "10.25205/2541-9447-2017-12-4-66-72",
language = "Русский",
volume = "12",
pages = "66--72",
journal = "СИБИРСКИЙ ФИЗИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ",
issn = "2541-9447",
publisher = "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет",
number = "4",

}

TY - JOUR

T1 - ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНО-РАЗРЕШЕННОЙ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА

AU - Вохминцев, Александр Сергеевич

AU - Вайнштейн, Илья Александрович

AU - Минин, Максим Геннадьевич

PY - 2017

Y1 - 2017

N2 - Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.

AB - Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32437079

U2 - 10.25205/2541-9447-2017-12-4-66-72

DO - 10.25205/2541-9447-2017-12-4-66-72

M3 - Статья

VL - 12

SP - 66

EP - 72

JO - СИБИРСКИЙ ФИЗИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ

JF - СИБИРСКИЙ ФИЗИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ

SN - 2541-9447

IS - 4

ER -