ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.
Переведенное названиеType-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)710-717
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том53
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать