ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)

Д.С. Абрамкин; Тимур Сезгирович Шамирзаев

doi:10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)

Д.С. Абрамкин, Тимур Сезгирович Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

Аннотация

Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.

Переведенное название	Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates
Язык оригинала	Русский
Страницы (с-по)	710-717
Журнал	Физика и техника полупроводников
Том	53
Номер выпуска	5
DOI	https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018
Состояние	Опубликовано - 2019

ГРНТИ

29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

Перечень ВАК

Ссылки

10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

https://elibrary.ru/item.asp?id=37644663

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать

Абрамкин, Д. С., & Шамирзаев, Т. С. (2019). ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110). Физика и техника полупроводников, 53(5), 710-717. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

Абрамкин, Д.С. ; Шамирзаев, Тимур Сезгирович. / ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110). В: Физика и техника полупроводников. 2019 ; Том 53, № 5. стр. 710-717.

@article{3aa6af5e2c484d72b5552596ec3a2003,

title = "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)",

abstract = "Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.",

author = "Д.С. Абрамкин and Шамирзаев, {Тимур Сезгирович}",

year = "2019",

doi = "10.21883/FTP.2019.05.47569.9018",

language = "Русский",

volume = "53",

pages = "710--717",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "5",

}

Абрамкин, ДС & Шамирзаев, ТС 2019, 'ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)', Физика и техника полупроводников, том. 53, № 5, стр. 710-717. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110). / Абрамкин, Д.С.; Шамирзаев, Тимур Сезгирович.

В: Физика и техника полупроводников, Том 53, № 5, 2019, стр. 710-717.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

TY - JOUR

T1 - ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110)

AU - Абрамкин, Д.С.

AU - Шамирзаев, Тимур Сезгирович

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.

AB - Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37644663

U2 - 10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

DO - 10.21883/FTP.2019.05.47569.9018

M3 - Статья

VL - 53

SP - 710

EP - 717

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -

Абрамкин ДС, Шамирзаев ТС. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПЕРВОГО РОДА С НЕПРЯМОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ НА ПОДЛОЖКАХ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (110). Физика и техника полупроводников. 2019;53(5):710-717. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018