Аннотация
На основе анализа магнитополевых и температурных зависимостей, гальваномагнитных эффектов и намагниченности проведено исследование характерных проявлений магнитного упорядочения и проводимости в полупроводниковых гетероструктурах с квантовой ямой GaAs : Be/Ga0.84In0.16As/GaAs и delta-слоями марганца различной толщины (0.4-2 монослоя). Наблюдалась аномальная зависимость проводимости от концентрации атомов марганца в delta-слое, обусловленная сильным рассеянием носителей заряда в структурах с низким содержанием магнитных примесей. Магнитные свойства гетероструктур содержали прямые свидетельства магнитного упорядочения примесной системы (насыщение и гистерезис намагниченности, проявление закона Кюри-Вейса при повышении температуры). Параметры магнитной подсистемы позволили выявить различный характер упорядочения систем с разной концентрацией магнитной примеси. Было показано, что изменение концентрации примеси Mn в delta-слое существенно влияет на проводящие свойства и магнетизм исследуемых структур. Работа выполнена в рамках государственного задания по теме Электрон" N АААА-А18-118020190098-5 и проекта N 18-10-2-6 Программы УрО РАН при поддержке РФФИ (грант N 18-02-00192).
Переведенное название | Effects of Magnetic Ordering in Conductivity and Magnetization of GaAs-Based Semiconductor Heterostructures upon Changing the Concentration of the Delta-Layer of Manganese Admixture |
---|---|
Язык оригинала | Русский |
Страницы (с-по) | 2325-2330 |
Число страниц | 6 |
Журнал | Физика твердого тела |
Том | 60 |
Номер выпуска | 12 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 2018 |
ГРНТИ
- 29.00.00 ФИЗИКА
Уровень публикации
- Перечень ВАК