Аннотация

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.
Переведенное названиеRESISTIVE MATERIAL: patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2533551
IPCH01C 7/00,C01B 19/00
Дата подачи заявки23/07/2013
СостояниеОпубликовано - 20 ноя 2014

ГРНТИ

  • 29.19.00 Физика твердых тел

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Резистивный материал: патент на изобретение». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать