Резистивный материал: патент на изобретение

Нина Владимировна Мельникова; Ольга Леонидовна Хейфец; Алексей Николаевич Бабушкин; Алексей Леонидович Филиппов; Кирилл Викторович Курочка

Резистивный материал: патент на изобретение

Нина Владимировна Мельникова (Изобретатель), Ольга Леонидовна Хейфец (Изобретатель), Алексей Николаевич Бабушкин (Изобретатель), Алексей Леонидович Филиппов (Изобретатель), Кирилл Викторович Курочка (Изобретатель)

Результат исследований: Патент

Аннотация

Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.

Переведенное название	RESISTIVE MATERIAL: patent of invention
Язык оригинала	Русский
Номер патента	2533551
IPC	H01C 7/00,C01B 19/00
Дата подачи заявки	23/07/2013
Состояние	Опубликовано - 20 нояб. 2014

ГРНТИ

29.19.00 Физика твердых тел

Ссылки

Другие файлы и ссылки

https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37455467

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Резистивный материал: патент на изобретение». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать

Мельникова, Н. В., Хейфец, О. Л., Бабушкин, А. Н., Филиппов, А. Л., & Курочка, К. В. (2014). Резистивный материал: патент на изобретение. (Патент № 2533551). Федеральный институт промышленной собственности. https://new.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2533551&TypeFile=html

Мельникова, Нина Владимировна (Изобретатель) ; Хейфец, Ольга Леонидовна (Изобретатель) ; Бабушкин, Алексей Николаевич (Изобретатель) и др. / Резистивный материал : патент на изобретение. Федеральный институт промышленной собственности. Патент №: 2533551. нояб. 20, 2014.

@misc{9b87d817ab7c4f69a9ec84bdd88a55e4,

title = "Резистивный материал: патент на изобретение",

abstract = "Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.",

author = "Мельникова, {Нина Владимировна} and Хейфец, {Ольга Леонидовна} and Бабушкин, {Алексей Николаевич} and Филиппов, {Алексей Леонидович} and Курочка, {Кирилл Викторович}",

year = "2014",

month = nov,

day = "20",

language = "Русский",

publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",

address = "Российская Федерация",

type = "Patent",

note = "2533551; H01C 7/00,C01B 19/00",

}

Резистивный материал: патент на изобретение. / Мельникова, Нина Владимировна (Изобретатель); Хейфец, Ольга Леонидовна (Изобретатель); Бабушкин, Алексей Николаевич (Изобретатель) и др.
Федеральный институт промышленной собственности. Патент №: 2533551. нояб. 20, 2014.

Результат исследований: Патент

TY - PAT

T1 - Резистивный материал

T2 - патент на изобретение

AU - Мельникова, Нина Владимировна

AU - Хейфец, Ольга Леонидовна

AU - Бабушкин, Алексей Николаевич

AU - Филиппов, Алексей Леонидович

AU - Курочка, Кирилл Викторович

PY - 2014/11/20

Y1 - 2014/11/20

N2 - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.

AB - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике, а именно к резистивному материалу, содержащему халькогениды серебра, мышьяка и германия. При этом материал дополнительно содержит селенид меди согласно эмпирической формуле: (Ag2Se)x·(Cu2Se)(1-x)·(As2Se3)·(GeSe)2, где 0,6≤х≤0,95. Материал обеспечивает интервал рабочих температур 10-150°С, время релаксации электросопротивления от 15 до 650 секунд, повышение величины электросопротивления до 105-107 Ом·м.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=37455467

M3 - Патент

M1 - 2533551

Y2 - 2013/07/23

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -