СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

И. Ф. Пунанов, Р. В. Емлин, В. Д. Куликов, С. О. Чолах

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6.5 kOmega и ~6.1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров ~10-9 s.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)35-39
ЖурналЖурнал технической физики
Том84
Номер выпуска4
СостояниеОпубликовано - 2014

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать