СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/SI

Павел Владимирович Середин, Д. Л. Голощапов, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Целью работы являлось исследование влияния нового типа податливых подложек на основе сверхструктурного слоя (SL) AlGaAs и слоя протопористого кремния (proto-Si), сформированного на c-Si, на оптические свойства эпитаксиального слоя GaAs, выращенного методом МОС-гидридной эпитаксии. Впервые показано, что низкотемпературный рост высококачественных эпитаксиальных пленок GaAs может быть реализован за счет использования податливых подложек SL/proto-Si. Введение SL в состав податливой подложки в дополнение к proto-Si позволяет нивелировать ряд негативных эффектов низкотемпературного роста, снизить уровень напряжений в эпитаксиальном слое, защитить от автолегирования атомами кремния, сократить число технологических операций по росту переходных буферных слоев, улучшить структурные и морфологические характеристики эпитаксиального слоя, а также достичь хороших оптических характеристик слоя. Проведены исследования полученных гетероструктур GaAs/Si методами рамановской спектроскопии, фотолюминесценции, спектроскопии оптического пропускания-отражения. Полученные данные послужат важным материалом для понимания основ физики и технологии интегрированных гетероструктур A--III--B--V--/Si, способствуя их применению в устройствах оптоэлектроники. Ключевые слова: гетероструктура GaAs/Si, податливая подложка, proto-Si, сверхструктурный слой, рамановская спектроскопия, фотолюминесценция, оптические спектры.
Переведенное названиеSPECTROSCOPIC STUDIES OF INTEGRATED GAAS/SI HETEROSTRUCTURES
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)34-40
Число страниц7
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том55
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - 2021

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИНТЕГРИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/SI». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать