СТРУКТУРНЫЕ И МОРФОЛОГИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА ГИБРИДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GAN, ВЫРАЩЕННОГО НА "ПОДАТЛИВОЙ" ПОДЛОЖКЕ POR-SI(111)

П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, A. M. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Показана возможность синтеза интегрированных гетероструктур GaN/por-Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота (МПЭ ПА) без использования буферного слоя AlN/Si. Показано положительное влияние высокотемпературной нитридизации кремниевой подложки, проводимой непосредственно перед ростом GaN, на кристаллическое качество слоев GaN/Si. Установлено, что для получения двумерных слоев GaN на Si(111) целесообразно использовать "податливые" подложки por-Si и низкотемпературные зародышевые слои GaN c трехмерной (3D) морфологией, которые синтезируются методом МПЭ ПА при относительно низких температурах подложки в стехиометрических условиях при обогащении азотом. В этом случае на поверхности подложки por-Si формируется самоупорядоченный массив зародышевых наноколонн GaN с достаточно однородным распределением диаметров. В свою очередь, рост основных, слоев GaN следует проводить при повышенной температуре в стехиометрических условиях с обогащением галлием, при которых наблюдается коалесценция зародившихся наноколонн GaN и рост сплошного двумерного слоя GaN. Использование "податливых" Si-подложек является применимым подходом для формирования полупроводниковых приборных гетероструктур на основе GaN методом МПЭ ПА. Ключевые слова: нитрид галлия, наноколонны, молекулярно-пучковая эпитаксия, пористый кремний, структурные свойства.
Переведенное названиеStructural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1141-1151
Число страниц11
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том53
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «СТРУКТУРНЫЕ И МОРФОЛОГИЧЕCКИЕ СВОЙСТВА ГИБРИДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GAN, ВЫРАЩЕННОГО НА "ПОДАТЛИВОЙ" ПОДЛОЖКЕ POR-SI(111)». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать