ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, МОРФОЛОГИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ALN, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GAAS(100) С РАЗОРИЕНТАЦИЕЙ

Павел Владимирович Середин, А. В. Федюкин, В. А. Терехов, К. А. Барков, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Е. В. Фомин, Н. А. Пихтин

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Методом реактивного ионно-плазменного осаждения были получены тонкие наноразмерные пленки нитрида алюминия на подложках GaAs(100) с различной степенью разориентации относительно направления < 100>. Показано, что рост на подложках с различной степенью разориентации от направления < 100> приводит к росту пленки AlN с различным фазовым составом и кристаллическим состоянием. Увеличение степени разориентации у используемой для роста подложки GaAs(100) отражается как на структурном качестве наноразмерных пленок AlN, так и на их электронном строении, морфологии их поверхности и оптических свойствах. Таким образом, управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с разной величиной разориентации. Ключевые слова: AlN, GaAs, разориентация, ионно-плазменное осаждение.
Переведенное названиеPhase composition, morphology, optical and electron characteristics of nanosized AlN films grown on GaAs (100) substrates with misorientation
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1584-1592
Число страниц9
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том53
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, МОРФОЛОГИЯ, ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК ALN, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GAAS(100) С РАЗОРИЕНТАЦИЕЙ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать