ФОРМИРОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ГЕТЕРОСИСТЕМЕ INSB/ALAS

Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. ПУТЯТО, Е. А. ЕМЕЛЬЯНОВ, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм- 1 мкм) дефектные островки, расположенные на слое InxAl1_x Sb-уAs1_y квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких (~ 10нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из InxAl1_xSb-уAs1_y. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия.
Переведенное названиеFormation of low-dimensional structures in InSb/AlAs heterosystem
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1282-1288
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том51
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - 2017

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «ФОРМИРОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ГЕТЕРОСИСТЕМЕ INSB/ALAS». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать