ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЧЕТЫРЕХКОМПОНЕНТНЫХ ХАЛ Ь КО ГЕН ИДО В МЕДИ

Л. А. Сайпулаева, Ф. С. Габибов, Н. В. Мельникова, А. Г. Алибеков, О. Л. Хейфец, А. Н. Бабушкин, К. В. Курочка

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1044-1051
ЖурналЖурнал экспериментальной и теоретической физики
Том142
Номер выпуска5
СостояниеОпубликовано - 2012

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать