ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Ю.Г. Арапов; С.В. Гудина; А. С. Клепикова; В.Н. Неверов; Н.Г. Шелушинина; Михаил Викторович Якунин

ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А. С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Михаил Викторович Якунин

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

Аннотация

Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.

Язык оригинала	Русский
Страницы (с-по)	186-191
Число страниц	6
Журнал	Физика и техника полупроводников
Том	49
Номер выпуска	2
Состояние	Опубликовано - 2015

ГРНТИ

29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

Перечень ВАК

Ссылки

https://elibrary.ru/item.asp?id=24195091

Цитировать

Арапов, Ю. Г., Гудина, С. В., Клепикова, А. С., Неверов, В. Н., Шелушинина, Н. Г., & Якунин, М. В. (2015). ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. Физика и техника полупроводников, 49(2), 186-191.

Арапов, Ю.Г. ; Гудина, С.В. ; Клепикова, А. С. ; Неверов, В.Н. ; Шелушинина, Н.Г. ; Якунин, Михаил Викторович. / ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. В: Физика и техника полупроводников. 2015 ; Том 49, № 2. стр. 186-191.

@article{44cfa98f034c48919045642f03bbb862,

title = "ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ",

abstract = "Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.",

author = "Ю.Г. Арапов and С.В. Гудина and Клепикова, {А. С.} and В.Н. Неверов and Н.Г. Шелушинина and Якунин, {Михаил Викторович}",

year = "2015",

language = "Русский",

volume = "49",

pages = "186--191",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "2",

}

Арапов, ЮГ, Гудина, СВ, Клепикова, АС, Неверов, ВН, Шелушинина, НГ & Якунин, МВ 2015, 'ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ', Физика и техника полупроводников, том. 49, № 2, стр. 186-191.

ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. / Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Клепикова, А. С.; Неверов, В.Н.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, Михаил Викторович.

В: Физика и техника полупроводников, Том 49, № 2, 2015, стр. 186-191.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

TY - JOUR

T1 - ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

AU - Арапов, Ю.Г.

AU - Гудина, С.В.

AU - Клепикова, А. С.

AU - Неверов, В.Н.

AU - Шелушинина, Н.Г.

AU - Якунин, Михаил Викторович

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.

AB - Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=24195091

M3 - Статья

VL - 49

SP - 186

EP - 191

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 2

ER -

Арапов ЮГ, Гудина СВ, Клепикова АС, Неверов ВН, Шелушинина НГ, Якунин МВ. ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. Физика и техника полупроводников. 2015;49(2):186-191.