ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ДЛЯ ПЕРЕХОДОВ МЕЖДУ ПЛАТО КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В НАНОСТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS С ДВОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А. С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Михаил Викторович Якунин

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей B=0-16 Tл и температур T=0.05-4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)186-191
Число страниц6
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том49
Номер выпуска2
СостояниеОпубликовано - 2015

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать