Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1099-1101
Число страниц3
ЖурналSemiconductors
Том24
Номер выпуска10
СостояниеОпубликовано - окт 1990

Ключевые слова

    Предметные области WoS

    • Физика, Конденсированных сред

    Цитировать

    @article{f990d7edc43e46359df465b08ab486e0,
    title = "DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE",
    keywords = "UNIAXIAL DEFORMATION, ENERGY-GAP, HGTE, HG1-XCDXTE",
    author = "Germanenko, {A. V.} and Larionova, {V. A.}",
    year = "1990",
    month = "10",
    language = "English",
    volume = "24",
    pages = "1099--1101",
    journal = "Semiconductors",
    issn = "1063-7826",
    publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
    number = "10",

    }

    DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE. / Germanenko, A. V.; Larionova, V. A.

    В: Semiconductors, Том 24, № 10, 10.1990, стр. 1099-1101.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

    TY - JOUR

    T1 - DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE

    AU - Germanenko, A. V.

    AU - Larionova, V. A.

    PY - 1990/10

    Y1 - 1990/10

    KW - UNIAXIAL DEFORMATION

    KW - ENERGY-GAP

    KW - HGTE

    KW - HG1-XCDXTE

    UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1990FH82200013

    M3 - Article

    VL - 24

    SP - 1099

    EP - 1101

    JO - Semiconductors

    JF - Semiconductors

    SN - 1063-7826

    IS - 10

    ER -