| Язык оригинала | Английский |
|---|---|
| Страницы (с-по) | 1099-1101 |
| Число страниц | 3 |
| Журнал | Semiconductors |
| Том | 24 |
| Номер выпуска | 10 |
| Состояние | Опубликовано - окт 1990 |
Ключевые слова
Предметные области WoS
- Физика, Конденсированных сред
Цитировать
Germanenko, A. V., & Larionova, V. A. (1990). DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE. Semiconductors, 24(10), 1099-1101.
@article{f990d7edc43e46359df465b08ab486e0,
title = "DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE",
keywords = "UNIAXIAL DEFORMATION, ENERGY-GAP, HGTE, HG1-XCDXTE",
author = "Germanenko, {A. V.} and Larionova, {V. A.}",
year = "1990",
month = "10",
language = "English",
volume = "24",
pages = "1099--1101",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
number = "10",
}
Germanenko, AV & Larionova, VA 1990, 'DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE' Semiconductors, том. 24, № 10, стр. 1099-1101.
DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE. / Germanenko, A. V.; Larionova, V. A.
В: Semiconductors, Том 24, № 10, 10.1990, стр. 1099-1101.Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › Научно-исследовательская › рецензирование
TY - JOUR
T1 - DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE
AU - Germanenko, A. V.
AU - Larionova, V. A.
PY - 1990/10
Y1 - 1990/10
KW - UNIAXIAL DEFORMATION
KW - ENERGY-GAP
KW - HGTE
KW - HG1-XCDXTE
UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1990FH82200013
M3 - Article
VL - 24
SP - 1099
EP - 1101
JO - Semiconductors
JF - Semiconductors
SN - 1063-7826
IS - 10
ER -
Germanenko AV, Larionova VA. DETERMINATION OF THE DEFORMATION POTENTIAL CONSTANTS OF HGCDTE. Semiconductors. 1990 Окт.;24(10):1099-1101.