Diode n‐p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation

G. A. Medvedkin, V. Yu. Rud, M. V. Yakushev

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

4 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1299-1302
Число страниц4
ЖурналCrystal Research and Technology
Том25
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 1990

Отпечаток

Ion implantation
ion implantation
implantation
Diodes
diodes
Single crystals
Oxygen
sensitivity
single crystals
oxygen

Предметные области ASJC Scopus

  • Chemistry(all)
  • Materials Science(all)
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Кристаллография

Цитировать

Medvedkin, G. A. ; Yu. Rud, V. ; Yakushev, M. V. / Diode n‐p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation. В: Crystal Research and Technology. 1990 ; Том 25, № 11. стр. 1299-1302.
@article{909e04a7ed984958b659a131ece60b70,
title = "Diode n‐p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation",
author = "Medvedkin, {G. A.} and {Yu. Rud}, V. and Yakushev, {M. V.}",
year = "1990",
month = "1",
day = "1",
doi = "10.1002/crat.2170251113",
language = "English",
volume = "25",
pages = "1299--1302",
journal = "Crystal Research and Technology",
issn = "0232-1300",
publisher = "Wiley-VCH Verlag",
number = "11",

}

Diode n‐p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation. / Medvedkin, G. A.; Yu. Rud, V.; Yakushev, M. V.

В: Crystal Research and Technology, Том 25, № 11, 01.01.1990, стр. 1299-1302.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - Diode n‐p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation

AU - Medvedkin, G. A.

AU - Yu. Rud, V.

AU - Yakushev, M. V.

PY - 1990/1/1

Y1 - 1990/1/1

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=84989486007&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1990EV17300009

U2 - 10.1002/crat.2170251113

DO - 10.1002/crat.2170251113

M3 - Article

VL - 25

SP - 1299

EP - 1302

JO - Crystal Research and Technology

JF - Crystal Research and Technology

SN - 0232-1300

IS - 11

ER -