Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures

P. V. Seredin, H. Leiste, A. S. Lenshin, A. M. Mizerov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи145267
Число страниц14
ЖурналApplied Surface Science
Том508
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 апр 2020

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Physics and Astronomy(all)
  • Surfaces, Coatings and Films
  • Chemistry(all)
  • Surfaces and Interfaces

Предметные области WoS

  • Химия, Физическая
  • Материаловедение, Покрытия и пленки
  • Физика, Прикладная
  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Effect of the transition porous silicon layer on the properties of hybrid GaN/SiC/por-Si/Si(1 1 1) heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать